[发明专利]发光器件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括基板，所述基板上设置有发光部，其特征在于，

所述发光器件中还集成有半导体热电制冷部，所述半导体热电制冷部设置在所述发光部上；

所述半导体制冷部包括冷端和热端，所述冷端靠近所述发光部，所述热端远离所述发光部。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，

所述半导体热电制冷部包括第一绝缘导热层、半导体热电堆层和第二绝缘导热层，所述第一绝缘导热层设置在所述发光部上，所述半导体热电堆层设置在所述第一绝缘导热层上，所述第二绝缘导热层设置在所述导体热电堆层上；

所述半导体热电堆层中分布有至少一个半导体制冷单元，每个半导体制冷单元包括金属下电极、P型半导体、N型半导体和金属上电极；

所述金属下电极设置在所述第一绝缘导热层上；

所述P型半导体和N型半导体设置在所述金属下电极上，所述P型半导体的底部和N型半导体的底部通过所述金属下电极相连接；

所述金属上电极设置在所述P型半导体的顶部和所述N型半导体的顶部。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，

所述半导体热电制冷部包括多个半导体制冷单元；

所述多个半导体制冷单元通过所述金属上电极串联连接、并联连接或串并联组合连接。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，同一个所述半导体制冷单元的P型半导体和N型半导体之间，以及相邻的所述半导体制冷单元之间设置有绝缘隔离部。

5.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，

所述发光器件为有机电致发光二极管OLED；

所述发光部包括阳极层、有机功能层和金属电极层；

所述阳极层设置在基板上，所述有机功能层设置在所述阳极层上，所述金属电极层设置在所述有机功能层上；

所述第一绝缘导热层设置在所述金属电极层上。

6.根据权利要求2至5任一项所述的发光器件，其特征在于，

所述P型半导体的材料选自以下材料中的一种或几种的组合：

碲化铋二元固溶体Bi₂Te₃-Sb₂Te₃、碲化铋三元固溶体Bi₂Te₃-Sb₂Te₃-Sb₂Se₃，P型Ag_(1-x)Cu_(x)Ti Te，YBaCuO超导材料；

所述N型半导体的材料选自以下材料中的一种或几种的组合：

碲化铋二元固溶体Bi₂Te₃-Bi₂Se₃，碲化铋三元固溶体Bi₂Te₃-Sb₂Te₃-Sb₂Se₃，N型Bi-Sb合金，YBaCuO超导材料。

7.一种权利要求1-6任一项所述的发光器件的制作方法，其特征在于，包括：

在所述基板上制备所述发光部；

在所述制备有所述发光部的基板上，制备所述半导体热电制冷部；

对所述制备有发光部和半导体热电制冷部的基板进行封装处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述制备有所述发光部的基板上，制备所述半导体热电制冷部包括：

在所述发光部上，沉积第一绝缘导热层；

在所述第一绝缘导热层上，应用遮罩制程制备金属下电极；

在所述金属下电极上，应用遮罩制程分别制备P型半导体和N型半导体；

在所述P型半导体和N型半导体上，应用遮罩制程制备金属上电极；

在金属上电极上，沉积第二绝缘导热层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述制备有发光部和半导体热电制冷部的基板进行封装处理包括：

使用金属箔、玻璃封装盖板或复合薄膜对所述制备有发光部和半导体热电制冷部的基板进行封装处理。