[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201210237984.6 | 申请日: | 2012-07-04 |
公开(公告)号: | CN102867792B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 高田圭太;团野忠敏;加藤浩一 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
2011年7月4日提交的、日本专利申请No.2011-148139的公开内容,包括说明书、附图和摘要,通过引用整体并入与此。
技术领域
本发明涉及半导体器件及其制造技术,具体地,涉及一种技术,该技术在被施加到具有其上安装有半导体芯片的芯片安装部分的底部表面从密封体暴露的结构的半导体器件时是有效的。
背景技术
在日本未审查专利公布号2004-235217(专利文件1)中,描述了一种半导体器件,其中其上安装有半导体芯片的小平台(tab)(芯片安装部分)的底部表面从密封部分暴露,以及沿小平台的边缘以梳状形状提供了向密封部分的内部弯曲而凸起的互锁的凸出部分,以便抑制小平台脱落。
在日本未审查专利公布号2006-318996(专利文件2)中,描述了一种半导体器件,其中变薄的部分从裸片焊盘(芯片安装部分)的外部周界周围凸起,以及在变薄的部分中提供了诸如通孔那样的接合部分,以便改进在密封树脂与裸片焊盘之间的粘接。
在日本未审查专利公布号2002-100722(专利文件3)中,描述了一种半导体器件,其中小平台的周围部分提供有台阶部分,以及在台阶部分中提供了周界连续的锯齿状部分,以阻止树脂密封体从小平台加速剥落。
在日本未审查专利公布No.2005-294464(专利文件4)中,描述了一种半导体器件(非绝缘型DC-DC转换器),其中被安装在各个裸片焊盘上的多个半导体芯片共同地密封在一个密封体中。
[相关技术文件]
[专利文件]
[专利文件1]
日本未审查的专利公布号2004-235217
[专利文件2]
日本未审查的专利公布号2006-318996
[专利文件3]
日本未审查的专利公布号2002-100722
[专利文件4]
日本未审查的专利公布号2005-294464
发明内容
如果把半导体器件按照它们的封装形式进行分类,那么有一种所谓的小平台暴露型半导体器件,其中具有安装在其上的半导体芯片的小平台(芯片安装部分)的底部表面从密封体暴露。在小平台暴露型半导体器件中,从密封体暴露的小平台可被利用为热释放路径。这在改进半导体器件的热释放特性方面是有利的。优选地,小平台暴露型半导体器件具有这样的结构,其中小平台的外围边缘部分提供有较薄的区域(台阶部分),以及较薄的区域的底部表面一侧被密封在密封体中,以防止或抑制小平台从密封体跌落。
本发明人研究了小平台暴露型半导体器件的封装结构,并且发现了要解决的新的问题。也就是,发现了由于在半导体器件所使用的环境下的温度循环,在密封体中,特别是在小平台的较薄的区域的附近,出现微小缺陷(裂缝)。作为研究的结果,本发明人发现,当半导体芯片的一部分被放置在与小平台的较薄的区域重叠的位置以及把粘接剂布置在半导体芯片与较薄的区域之间时,出现裂缝。当在密封体中出现裂缝时,它充当一条路径,湿气等等通过这条路径进入密封体。如果半导体器件在出现裂缝的状态下被继续使用,则裂缝发展得越来越大,因此导致半导体器件可靠性的恶化。
本发明是鉴于上述的问题而达到的,本发明的目的是提供用于抑制半导体器件可靠性的恶化的技术。
从本说明书中的陈述和附图,将明白本发明的以上的和其它的目的和新颖的特征。
以下是在本申请中公开的、本发明的代表性方面的内容的简要描述。
也就是,作为本发明的实施例的半导体器件具有第一芯片安装部分,包括其上安装有第一半导体芯片的第一顶部表面;位于第一顶部表面的对面并且从密封体暴露的第一底部表面;以及位于第一顶部表面与第一底部表面之间的多个侧面。在第一芯片安装部分的侧面中,第一侧面具有:第一部分,其接续到第一芯片安装部分的第一底部表面;第二部分,其位于第一部分以外并且接续到第一芯片安装部分的第一顶部表面;和第三部分,其位于第二部分以外并且接续到第一芯片安装部分的第一顶部表面,以面向与第一部分和第二部分中的每个相同的方向。在平面图中,第一半导体芯片的外部边缘位于第一芯片安装部分的第一部分与第二部分之间,并且用于将第一半导体芯片粘接固定到第一芯片安装部分的粘接材料的外部边缘位于第一半导体芯片与第二部分之间。
以下是通过在本申请中公开的本发明的代表性方面可达到的效果的简要描述。
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