[发明专利]发光组件芯片组及其电路与焊线连结方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光组件芯片组，尤指一种发光组件芯片组(例如LED)及其电路与焊线连结方法。

背景技术

于发光二极管（LED,Light Emitting Diode）的封装领域中，为了提升LED的功效，一个封装件中通常会排设多个LED芯片，且大多采用定电流控制，使每一个LED芯片的发光特性一致，所以电路设计大多使用串联设计或串并联设计，如图1所示的串并联的LED芯片组1，但该些串并联设计中，只要其中一个LED芯片10’故障（如图1所示的虚线圆圈处），串联的其它LED芯片10就会不亮，仅剩两组串联导通（如图1所示的箭头），因而产生良率与可靠度问题。

为避免上述的缺失，美国专利第20080099772号揭示一种发光二极管模块2，如图2A至图2C所示，其于一基板20上形成多个由一n型层22与一p型层23所构成的LED组件21，并于该n型层22与p型层23之间形成pn接面（pn junction），以当电流经过该pn接面时，该LED组件21会发光，且每一个LED组件21具有一n电极垫220与一p电极垫230，以利用一金属导电层24电性连接该些n电极垫220与该些p电极垫230。

此外，该些LED组件21为数组排设，以借由该金属导电层24形成串并联的导电途径，如图2B所示，将五个LED组件21串联成一列，再将三列相互并联，并将上、下相邻的LED组件21的p电极垫230与p电极垫230并联。因此，如图2C所示的其相对应的电路图，当其中一个LED组件21’故障时，电流S会绕过故障的LED组件21’，使串联的其它LED组件21依然可发光，如图2C中的箭头所示，所以可克服传统串并联的缺失，以增加发光二极管模块串并联设计的可靠度。

但是，现有发光二极管模块2采用半导体集成电路工艺进行制作，例如，黄光工艺、涂布工艺、曝光显影工艺、蚀刻工艺、化学沉积工艺等，导致成本过高，工艺时间冗长，且工艺相当复杂。

因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种不足，本发明的主要目的在于提供一种发光组件芯片组及其电路与焊线连结方法，所以可提升该发光组件芯片组的电性可靠度。

本发明的发光组件芯片组，包括：多个发光组件芯片，其排成m排k列的数组，且m为大于1的整数，k为大于1的整数，且位于相邻两排与相邻两列相交对应的四个该发光组件芯片定义为2乘2矩阵；多个第一焊线，其串联各排中的发光组件芯片，且并联各排端处的发光组件芯片；以及至少一第二焊线，其电性连接位于该2乘2矩阵对角处的两发光组件芯片。

前述的发光组件芯片组中，该发光组件芯片具有p电极与n电极，且同一p电极上或同一n电极上连接多个条该第二焊线。

前述的发光组件芯片组中，该发光组件芯片具有p电极与n电极，且一部分的该第一与第二焊线堆栈于该p电极或n电极上。

前述的发光组件芯片组中，该发光组件芯片具有p电极与n电极，且一部分的该第一与第二焊线电性连接该发光组件芯片的p电极或n电极。

前述的发光组件芯片组中，该发光组件芯片具有p电极与n电极，且该串联借由该第一焊线电性连接同一排的第一列至第k列的相邻两发光组件芯片间的p电极与n电极所构成。

前述的发光组件芯片组中，该发光组件芯片具有p电极与n电极，且该并联借由该第一焊线电性连接第一列的所有发光组件芯片的p电极或n电极所构成、或第k列的所有发光组件芯片的p电极或n电极所构成。

前述的发光组件芯片组中，各该发光组件芯片具有p电极与n电极，以令该第二焊线的两端分别电性连接该2乘2矩阵的对角处的其中一发光组件芯片的p电极与另一发光组件芯片的n电极上。

前述的发光组件芯片组中，该2乘2矩阵为多个时，该第二焊线还电性连接另一2乘2矩阵的同一列的两发光组件芯片。

前述的发光组件芯片组中，该2乘2矩阵为多个时，各该发光组件芯片具有p电极与n电极，以令该些第二焊线还电性连接另一2乘2矩阵的同一列的两发光组件芯片的p电极或n电极上。

前述的发光组件芯片组中，该2乘2矩阵为多个时，该第二焊线电性连接该m排k列数组的任一2乘2矩阵中不同排的两发光组件芯片

前述的发光组件芯片组中，该第一焊线的数量大于或等于(k+1)×m-2条。

前述的发光组件芯片组中，该第二焊线的数量大于或等于(k-1)×(m-1)条。