[发明专利]发光组件芯片组及其电路与焊线连结方法无效
申请号: | 201210236523.7 | 申请日: | 2012-07-09 |
公开(公告)号: | CN103515408A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 赖杰隆;陈贤文;赖明和;关智文 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/768;H01L33/62 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 组件 芯片组 及其 电路 连结 方法 | ||
1.一种发光组件芯片组,其包括:
多个发光组件芯片,其为排成m排k列的数组,且m为大于1的整数,k为大于1的整数,且位于相邻两排与相邻两列相交对应的四个该发光组件芯片定义为2乘2矩阵;
多个第一焊线,其串联各排中的发光组件芯片,且并联各排端处的发光组件芯片;以及
至少一第二焊线,其电性连接位于该2乘2矩阵对角处的两发光组件芯片。
2.根据权利要求1所述的发光组件芯片组,其特征在于,该发光组件芯片具有p电极与n电极,且同一p电极上或同一n电极上连接多个条该第二焊线。
3.根据权利要求1所述的发光组件芯片组,其特征在于,该发光组件芯片具有p电极与n电极,且一部分的该第一与第二焊线堆栈于该p电极或n电极上。
4.根据权利要求1所述的发光组件芯片组,其特征在于,该发光组件芯片具有p电极与n电极,且一部分的该第一与第二焊线电性连接该发光组件芯片的p电极或n电极。
5.根据权利要求1所述的发光组件芯片组,其特征在于,该发光组件芯片具有p电极与n电极,且该串联借由该第一焊线电性连接同一排的第一列至第k列的相邻两发光组件芯片间的p电极与n电极所构成。
6.根据权利要求1所述的发光组件芯片组,其特征在于,该发光组件芯片具有p电极与n电极,且该并联借由该第一焊线电性连接第一列的所有发光组件芯片的p电极或n电极所构成、或第k列的所有发光组件芯片的p电极或n电极所构成。
7.根据权利要求1所述的发光组件芯片组,其特征在于,各该发光组件芯片具有p电极与n电极,以令该第二焊线的两端分别电性连接该2乘2矩阵的对角处的其中一发光组件芯片的p电极与另一发光组件芯片的n电极上。
8.根据权利要求1所述的发光组件芯片组,其特征在于,该2乘2矩阵为多个时,该第二焊线还电性连接另一2乘2矩阵的同一列的两发光组件芯片。
9.根据权利要求1所述的发光组件芯片组,其特征在于,该2乘2矩阵为多个时,各该发光组件芯片具有p电极与n电极,以令该些第二焊线还电性连接另一2乘2矩阵的同一列的两发光组件芯片的p电极或n电极上。
10.根据权利要求1所述的发光组件芯片组,其特征在于,该2乘2矩阵为多个时,该第二焊线电性连接该m排k列数组的任一2乘2矩阵中不同排的两发光组件芯片。
11.根据权利要求1所述的发光组件芯片组,其特征在于,该第一焊线的数量大于或等于(k+1)×m-2条。
12.根据权利要求1所述的发光组件芯片组,其特征在于,该第二焊线的数量大于或等于(k-1)×(m-1)条。
13.根据权利要求1所述的发光组件芯片组,其特征在于,该芯片组还包括承载件,用于设置该些数组排设的发光组件芯片。
14.根据权利要求13所述的发光组件芯片组,其特征在于,该芯片组还包括封装胶体,其形成于该承载件上,以包覆该些发光组件芯片及该第一与第二焊线。
15.一种发光组件芯片组的电路,其包括:
多个发光组件芯片;
多个第一焊线,其串联与并联各该发光组件芯片,以电性连结成m排k列的数组电路,且m为大于1的整数,k为大于1的整数,并将导电路径位于相邻两排与相邻两列相交对应的四个该发光组件芯片定义为2乘2矩阵电路;以及
至少一第二焊线,其电性连接位于该2乘2矩阵电路对角处的两发光组件芯片。
16.根据权利要求15所述的发光组件芯片组的电路,其特征在于,该些发光组件芯片为非数组排设。
17.根据权利要求15所述的发光组件芯片组的电路,其特征在于,该2乘2矩阵电路为多个时,该第二焊线电性连接该m排k列数组电路的任一2乘2矩阵电路中不同排的两发光组件芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210236523.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的