[发明专利]控制半导体晶圆制造工艺的系统和方法有效
| 申请号: | 201210229433.5 | 申请日: | 2012-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN103311145B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
| 发明(设计)人: | 陈世宏;萧颖;林进祥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 控制 半导体 制造 工艺 系统 方法 | ||
1.一种控制半导体晶圆制造工艺的方法,包括:
在晶圆加工模块中的晶圆支撑组件上设置半导体晶圆;
从以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角设置的信号发射器发射信号,以检查所述模块中的所述晶圆的平整度,以便从所述晶圆反射所述信号;
在信号接收器处以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴的预定反射角监控所反射的信号;以及
如果在所述信号接收器处没有接收到所反射的信号,则生成报警指示。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
沿着所述晶圆加工模块的第一侧设置所述信号发射器,以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴的所述预定发射角发射所述信号;以及
沿着所述晶圆加工模块的与所述第一侧相对的第二侧设置所述信号接收器,以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴的所述预定反射角接收所反射的信号。
3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在沿着所述晶圆加工模块的第一侧的第一位置设置所述信号发射器,以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴的所述预定发射角发射所述信号;以及
在沿着所述晶圆加工模块的第一侧的第二位置设置所述信号接收器,以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴的所述预定反射角接收所反射的信号。
4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在所述信号接收器处接收所反射的信号;
测定所接收信号相对于所述晶圆的反射角;
将所测定的反射角与所述预定反射角进行比较;以及
如果比较指示所述晶圆的平整度是基本上未对准的,则生成报警指示。
5.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:
如果比较指示所测定的反射角和所述预定反射角之间的差值为至少0.2度时,则生成报警指示。
6.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:
如果比较指示所测定的反射角和所述预定反射角之间的差值为大于0.6度时,则生成报警指示。
7.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在所述模块中在所述晶圆支撑组件的第一表面上方设置所述晶圆;
使用顶销组件将所述晶圆降低至所述第一表面;
其中,发射所述信号的步骤包括以相对于与所述晶圆支撑组件的第一表面垂直的轴的预定发射角从所述信号发射器发射,以便从降低的晶圆反射所述信号;以及
所述监控步骤包括在信号接收器处以相对于与所述晶圆支撑组件的第一表面垂直的轴的预定反射角监控所反射的信号。
8.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在所述模块中沿着静电卡盘的第一表面设置所述晶圆;
将所述静电卡盘的两个或更多个电极通电,以将所述晶圆静电吸持到所述第一表面;
其中,发射所述信号的步骤包括以相对于与所述静电卡盘的第一表面垂直的轴的预定发射角从所述信号发射器发射。
9.一种控制半导体晶圆制造工艺的方法,包括:
在半导体晶圆加工模块中的晶圆支撑组件上设置半导体晶圆;
从以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角设置的信号发射器发射信号,以检查所述模块中的所述晶圆的平整度,以便从所述晶圆反射所述信号;
在信号接收器处以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴的预定反射角监控所反射的信号;
在所述信号接收器处接收所反射的信号;
使用所反射的信号测定晶圆倾斜角;以及
如果所测定的晶圆倾斜角指示所述晶圆的平整度是基本上未对准的,则生成报警指示。
10.一种控制半导体晶圆制造工艺的系统,包括:
半导体晶圆加工模块;
晶圆支撑组件,用于在所述加工模块中支撑所述半导体晶圆;
信号发射器,当所述晶圆被所述晶圆支撑组件支撑时,所述信号发射器以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴的预定发射角设置;
信号接收器,当所述晶圆被所述晶圆支撑组件支撑时,所述信号接收器以相对于与所述晶圆支撑组件垂直的轴的预定反射角设置,所述信号接收器进一步包括:
监控设备,用于监控来自所述晶圆的反射信号;
数据测定设备,用于测定所述反射信号相对于所述晶圆的反射角;和
数据比较器,用于测定所测定的反射角和所述预定反射角之间的差值;以及
生成器,如果所述比较器指示所述晶圆的平整度是基本上未对准的,则生成报警指示。
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