[发明专利]一种芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种芯片结构，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底中的有源区，所述有源区内包括所述芯片的逻辑电路；

形成在所述衬底中的终端区，所述终端区包括：

主结，所述主结环绕所述有源区；

多个场限环，所述多个场限环依次地同心环绕所述主结；和多个沟槽，所述沟槽的内壁形成有绝缘层，所述沟槽内的绝缘层上形成有导电层，所述沟槽与所述场限环之间具有预设角度。

2.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，每个所述沟槽横越所述场限环。

3.如权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，每个所述沟槽垂直所述场限环。

4.如权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，多个所述沟槽在沿着所述场限环方向间隔设置。

5.如权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，每个所述沟槽与所述场限环区域部分重叠或完全不重叠。

6.如权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，多个所述沟槽在沿着所述场限环方向间隔、连续或部分交叠设置，且相邻两个所述沟槽在垂直于所述场限环方向错位至少一个场限环宽度的距离，每个所述沟槽在垂直于所述场限环方向被所述场限环划分为间隔的多段，其中，相邻两段之间间隔有至少两个所述场限环。

7.如权利要求1-6任一项所述的芯片结构，其特征在于，相邻所述沟槽之间的间隔小于100μm。

8.如权利要求1-6任一项所述的芯片结构，其特征在于，所述沟槽的深度大于2μm。

9.如权利要求1-6任一项所述的芯片结构，其特征在于，所述沟槽在沿着所述场限环方向的宽度小于100μm。

10.一种如权利要求1所述的芯片结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供所述衬底；

在所述衬底上形成图案化的第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述衬底表面未预设为所述多个沟槽的区域；

根据所述第一掩膜层的图案刻蚀所述衬底以形成所述多个沟槽；

在所述沟槽内壁形成所述绝缘层；

在所述沟槽内的所述绝缘层上形成所述导电层；

其中，在形成所述多个沟槽之前或形成所述导电层之后，还包括：形成所述主结、所述多个场限环和所述有源区。

11.如权利要求10所述的芯片结构的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜层包括氧化层、氮化层中的一层或多层的组合。

12.如权利要求10所述的芯片结构的制作方法，其特征在于，形成所述导电层包括：

在所述绝缘层上形成导电材料；

对所述导电材料进行回刻以形成所述导电层。

13.如权利要求10所述的芯片结构的制作方法，其特征在于，形成所述主结、所述多个场限环和所述有源区包括以下步骤：

在所述衬底上形成图案化的场氧层，所述场氧层覆盖所述衬底上未预设为所述主结和所述多个场限环的区域；

在所述场氧层和所述有源区上形成第二掩膜层，并对所述衬底进行注入以形成所述主结和所述场限环；

去除所述第二掩膜层；

在所述衬底的终端区形成第三掩膜层，并对所述衬底进行注入以形成所述有源区；和

去除所述第三掩膜层。

14.如权利要求10所述的芯片结构的制作方法，其特征在于，相邻所述沟槽之间的间隔小于100μm。

15.如权利要求10所述的芯片结构的制作方法，其特征在于，所述沟槽的深度大于2μm。

16.如权利要求10所述的芯片结构的制作方法，其特征在于，所述沟槽在沿着所述场限环方向的宽度小于100μm。