[发明专利]晶圆分离和清洁装置及其使用方法有效
| 申请号： | 201210190020.0 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103137524A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 邱文智;林俞良;涂宏荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分离 清洁 装置 及其 使用方法 | ||
1.一种晶圆分离和清洁装置，包括：
自动晶圆处理模块；
晶圆分离模块，被配置成分离半导体晶圆与载具晶圆；以及
晶圆清洁模块，被配置成清洁所述半导体晶圆的表面，其中
所述自动晶圆处理模块被配置成将所述半导体晶圆传送/运送到所述晶圆分离模块和所述晶圆清洁模块中的每一个或传送/运送来自所述晶圆分离模块和所述晶圆清洁模块中的每一个的所述半导体晶圆。
2.根据权利要求1所述的晶圆分离和清洁装置，其中，所述自动晶圆处理模块包括：
机械臂，被配置成支撑所述半导体晶圆而没有使用膜框。
3.根据权利要求1所述的晶圆分离和清洁装置，其中，所述晶圆分离模块包括：紫外光源、激光光源、或热源中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的晶圆分离和清洁装置，其中，所述半导体晶圆的厚度范围为大约350μm至大约1500μm。
5.根据权利要求1所述的晶圆分离和清洁装置，其中，所述晶圆清洁模块包括喷嘴，所述喷嘴被配置成将清洁液喷洒到所述半导体晶圆的表面上方，其中
所述清洁液包括混合物，所述混合物包括：去离子水、四甲基氢氧化铵(TMAH)、氢氧化钾(KOH)、甲基吡咯烷酮(NMP)、异丙醇(IPA)、乙醇、丙酮、过氧化氢(H2O2)和二甲基亚砜(DMSO)中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的晶圆分离和清洁装置，进一步包括：第二晶圆清洁模块，所述第二晶圆清洁模块被配置成清洁半导体衬底的表面。
7.根据权利要求6所述的晶圆分离和清洁装置，进一步包括控制系统，所述控制系统被配置成确定是所述清洁模块还是所述第二清洁模块可用于容纳晶圆组件。
8.根据权利要求1所述的晶圆分离和清洁装置，进一步包括多个可移动存储单元。
9.根据权利要求1所述的晶圆分离和清洁装置，进一步包括扫描器，所述扫描器被配置成扫描与所述半导体晶圆相关联的条形码。
10.一种分离晶圆和清洁晶圆的方法，包括：
使用晶圆分离模块将半导体晶圆与载具晶圆分离；
使用晶圆清洁模块清洁所述半导体晶圆的表面；以及
使用自动晶圆处理模块将所述半导体晶圆传送到所述晶圆分离模块和所述晶圆清洁模块或传送来自所述晶圆分离模块和所述晶圆清洁模块的所述半导体晶圆。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
