[发明专利]一种可调节电势分布的半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种可调节电势分布的半导体装置，其特征在于：包括：

主结，为单个半导体结，具有半导体材料构成的漂移区；

副结，为多个半导体结串联构成，副结与主结首尾并联，同时多个互联线将副结从阳极到阴极不同位置半导体材料依次与主结从阳极到阴极不同位置的半导体材料相连。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体结为PN结或肖特基结。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的主结的漂移区为第一导电类型半导体材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的副结可以为多个背靠背PN结串联构成，背靠背PN结之间直接相连，也可以通过金属相连。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的副结也可以为多个PN结串联构成，PN结之间直接相连，也可以通过金属相连。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的副结与主结首尾并联为首尾半导体材料直接相连，也可以为金属或多晶半导体材料相连。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的副结与主结漂移区不同位置的互联线可以为金属、多晶半导体材料、单晶半导体材料或副结与主结本身的半导体材料。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的与主结漂移区不同位置相连的副结半导体材料可以为第一导电类型半导体材料或者第二导电类型半导体材料。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的与副结相连的主结漂移区的位置区域，可以设置第二导电类型半导体材料区作为接触区，也可以设置为肖特基势垒结相连。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的多个互联线将副结和主漂移区相连，可以为副结半导体材料与主结漂移区半导体材料完全临靠相连。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的多个互联线将副结和主漂移区相连，可以为副结半导体材料与主结漂移区半导体材料临靠相连，同时之间有部分区域通过绝缘层隔离。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的副结可以完全为多晶半导体材料构成。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的副结也可以为多晶半导体材料与单晶半导体材料构成。

14.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的副结可以为非直线形状。

15.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的主结漂移区可以为非直线形状。

16.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体装置可以应用于平面型结构器件。

17.如权利要求1所述的一种可调节电势分布的半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底片上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料层；

2)在表面形成钝化层，反刻蚀钝化层，进行主结第二导电杂质掺杂；

3)去除部分钝化层，进行副结第二导电杂质掺杂；

4)去除部分钝化层，在器件表面淀积金属，反刻蚀金属。

18.如权利要求1所述的一种可调节电势分布的半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底片上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料层；

2)在表面形成钝化层，反刻蚀钝化层，进行主结和副结第二导电杂质掺杂；

3)去除部分钝化层，在器件表面淀积金属，反刻蚀金属。