[发明专利]碳化硅薄膜制作方法以及金属阻挡层制作方法无效
| 申请号： | 201210170352.2 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102683199A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 薄膜 制作方法 以及 金属 阻挡 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅薄膜制作方法，包括：
S1：采用含氮气体沉积碳化硅薄膜；
S2：采用碳氢化合物对所述碳化硅薄膜进行远程等离子体处理；
重复所述步骤S1至S2，直至形成目标厚度的碳化硅薄膜。
2.如权利要求1所述的碳化硅薄膜制作方法，其特征在于，所述碳氢化合物为分子式为CxHy成份的气体，其中，x、y为大于或等于1的自然数。
3.如权利要求2所述的碳化硅薄膜制作方法，其特征在于，所述碳氢化合物选自于CH4、C2H4、C3H6、C3H8中的一种或至少两种的混合物。
4.如权利要求1所述的碳化硅薄膜制作方法，其特征在于，每次远程等离子体处理的时间为10~20秒。
5.如权利要求1所述的碳化硅薄膜制作方法，其特征在于，每次沉积的碳化硅薄膜的厚度范围为10~100埃。
6.如权利要求5所述的碳化硅薄膜制作方法，其特征在于，每次沉积的碳化硅薄膜的厚度范围为20~30埃。
7.如权利要求1所述的碳化硅薄膜制作方法，其特征在于，沉积碳化硅薄膜时采用的气体为三甲基硅烷和NH3。
8.如权利要求1所述的碳化硅薄膜制作方法，其特征在于，沉积碳化硅薄膜时采用的气体为四甲基硅烷和NH3。
9.一种金属阻挡层制作方法，其特征在于，使用上述权利要求1至8中任意一项所述的碳化硅薄膜制作方法制作金属阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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