[发明专利]半导体元件的制造方法及半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基底；

在所述基底上形成一第一导体层；

在所述第一导体层上形成一介电层，其中形成所述介电层的步骤包括：

形成一氧化物致密化氧化硅层；以及

在所述介电层上形成一第二导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅层的氧对硅的比值为1.5至2.5之间。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中形成一氧化物致密化氧化硅层的方法包括：

形成一氧化硅层；以及

对所述氧化硅层进行氧化物致密化处理。

4.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中对所述氧化硅层进行氧化物致密化处理包括对所述氧化硅层进行等离子体致密化处理。

5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述氧化硅层进行等离子体致密化处理是使用射频或微波源。

6.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中对所述氧化硅层进行等离子体致密化处理的温度是在700℃或700℃以下。

7.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述氧化硅层是以低压化学气相沉积或原子层沉积，或由自由基氧化物来形成。

8.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅层的厚度为15埃到50埃之间。

9.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于还包括在所述基底上形成一绝缘层，其中所述第一导体层是形成在所述绝缘层上。

10.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅层为第一氧化物致密化氧化硅层，而其中形成所述介电层的步骤还包括：

在所述第一氧化物致密化氧化硅层上形成一第二氧化物致密化氧化硅层。

11.根据权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中形成所述介电层的步骤还包括在所述第一氧化物致密化氧化硅层上形成一氮化硅层，其中所述第二氧化物致密化氧化硅层是形成在所述氮化硅层上。

12.根据权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述第一氧化物致密化氧化硅层的厚度在约15埃至50埃之间，而所述第二氧化物致密化氧化硅层的厚度在约30埃至80埃之间。

13.一种半导体元件，其特征在于其包括：

一半导体基底；

一第一导体层，形成在所述基底上；

一介电层，形成在所述第一导体层上，其中所述介电层包括氧化物致密化氧化硅层；以及

一第二导体层，形成在所述介电层上。

14.根据权利要求13所述的半导体元件，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅层的氧对硅的比值为1.5至2.5之间。

15.根据权利要求13所述的半导体元件，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅层包括经过等离子体氧化处理的氧化硅层以形成上述氧化物致密化氧化硅层。

16.根据权利要求15所述的半导体元件，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅层已以射频或微波源进行等离子体氧化处理。

17.根据权利要求15所述的半导体元件，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅层以700℃或700℃以下的温度进行等离子体氧化处理。

18.根据权利要求15所述的半导体元件，其特征在于其中所述氧化硅层包括以低压化学气相沉积或原子层沉积，或由自由基氧化物形成的氧化硅层。

19.根据权利要求13所述的半导体元件，其特征在于其中所述氧化物致密化氧化硅层的厚度为15埃至50埃之间。

20.根据权利要求13所述的半导体元件，其特征在于还包括：

一绝缘层，形成在所述半导体基底上，所述第一导体层形成在所述绝缘层上。