[发明专利]显示装置及其制作方法在审
申请号: | 201210158926.4 | 申请日: | 2012-05-21 |
公开(公告)号: | CN103365020A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 徐振航;辛哲宏;蔡娟娟 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/167 | 分类号: | G02F1/167;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制作方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于包括:
一透明基板,具有彼此相对的一上表面及一下表面;
一主动元件阵列,具有多个像素结构,且上述像素结构配置于该透明基板的该上表面上;
一太阳能电池结构,直接配置于该透明基板的该下表面上;以及
一电泳显示薄膜,配置于该透明基板的上方,且包括一透明保护膜、一电极层以及多个显示介质,其中该电极层设置于该透明保护膜与上述显示介质之间,且上述显示介质位于该电极层与该主动元件阵列之间。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于其中该太阳能电池结构包括多个电池单元,各该电池单元包括一第一导电层、一第二导电层以及一光伏层,该第一导电层直接配置于该透明基板的该下表面上,该光伏层位于该第一导电层与该第二导电层之间。
3.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于其中上述电池单元以串联的方式彼此电性连接。
4.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于其中该第一导电层包含一第一透明导电层,该光伏层包含依序设置于该第一导电层上的P型参杂微晶硅、本质微晶硅吸收层、N型参杂微晶硅,该第二导电层包含一第二透明导电层及一金属电极层。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于其中该太阳能电池结构包括一微晶硅薄膜太阳能电池、一有机太阳能电池、一多晶硅薄膜太阳能电池或一铜铟镓硒太阳能电池。
6.一种显示装置的制作方法,其特征在于包括:
提供一透明基板,该透明基板具有彼此相对的一上表面及一下表面;
形成一主动元件阵列于该透明基板的该上表面上;
直接形成一太阳能电池结构于该透明基板的该下表面上;以及
贴合一电泳显示薄膜于该主动元件阵列上,其中该电泳显示薄膜包括一透明保护膜、一电极层以及多个显示介质,该电极层设置于该透明保护膜与上述显示介质之间,且上述显示介质位于该电极层与该主动元件阵列之间。
7.如权利要求6所述的显示装置的制作方法,其特征在于其中该太阳能电池结构是在形成该主动元件阵列之前所形成,且该太阳能电池结构包括一多晶硅薄膜太阳能电池或一铜铟镓硒太阳能电池。
8.如权利要求7所述的显示装置的制作方法,其特征在于更包括:
在形成该太阳能电池结构之后且在形成该主动元件阵列之前,形成一保护层以覆盖该太阳能电池结构;以及
在形成该主动元件阵列之后,移除该保护层,以暴露出该太阳能电池结构。
9.如权利要求6所述的显示装置的制作方法,其特征在于其中该太阳能电池结构是在形成该主动元件阵列之后所形成,且该太阳能电池结构包括一微晶硅薄膜太阳能电池或一有机太阳能电池。
10.如权利要求9所述的显示装置的制作方法,其特征在于更包括:
在形成该主动元件阵列之后且在形成该太阳能电池结构之前,形成一保护层以覆盖该主动元件阵列;以及
在形成该太阳能电池结构之后,移除该保护层,以暴露出该主动元件阵列。
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