[发明专利]金属硅化物阻挡层薄膜的沉积方法

权利要求书

1.一种金属硅化物阻挡层薄膜的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：提供衬底，所述衬底上包括金属硅化物；

步骤2：利用次大气压化学气相沉积法在衬底上沉积金属硅化物阻挡层的二氧化硅薄膜；

步骤3：对沉积形成的二氧化硅薄膜进行紫外光照射；

步骤4：取出衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2中的次大气压化学气相沉积法的沉积过程的压力范围为10~700 torr。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2中的次大气压化学气相沉积法的沉积过程的温度范围为300~500℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2中所形成的二氧化硅薄膜的厚度范围为100~1000A。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3中的紫外光的波长范围为320~400nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3中的紫外光的照射温度范围为300-500℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3中的紫外光的照射时间为1~10分钟。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述步骤2和3的次数至少为二次。