[发明专利]后段制程中双重图形化方法

权利要求书

1.一种后段制程中双重图形化方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成介质层和硬掩膜层；

在所述硬掩膜层上形成第一图案化的光刻胶，所述第一图案化的光刻胶所曝光的图案包括若干规则排列的转角图案；

以所述第一图案化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，直至暴露所述介质层，去除所述第一图案化的光刻胶以形成第一沟槽；

在所述硬掩膜层及所述暴露的介质层上形成第二图案化的光刻胶，所述第二图案化的光刻胶所曝光的图案包括若干规则排列的直线图案；

以所述第二图案化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，直至暴露所述介质层，去除所述第二图案化的光刻胶以形成第二沟槽；

以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层，形成互连金属线沟槽；以及

在所述互连金属线沟槽中填充形成互连金属线。

2.如权利要求1所述的后段制程中双重图形化方法，其特征在于，所述第一图案化的光刻胶暴露的图案包括若干规则排列的由第一方向直线图案、第二方向直线图案以及由第一方向直线图案与第二方向直线图案连接形成的转角图案形成的图案。

3.如权利要求2所述的后段制程中双重图形化方法，其特征在于，所述第一图案化的光刻胶暴露的图案包括若干规则排列的“Z”字形图案，所述第二图案化的光刻胶暴露的图案包括若干直线图案，所述直线图案的两端分别与所述“Z”字形图案的端部位置对应相接。

4.如权利要求1所述的后段制程中双重图形化方法，其特征在于，所述介质层为低介电常数材料层。

5.如权利要求4所述的后段制程中双重图形化方法，其特征在于，所述介质层的材质为有机聚合物、超小型泡沫塑料、包含有机聚合物的硅基绝缘体、掺杂碳的硅氧化物及掺杂氯的硅氧化物中的一种或其组合。

6.如权利要求1所述的后段制程中双重图形化方法，其特征在于，所述硬掩膜层为金属硬掩膜层。

7.如权利要求6所述的后段制程中双重图形化方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质为氮化钛及氮化钽中的一种或其组合。

8.如权利要求6所述的后段制程中双重图形化方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为150埃～400埃。

9.如权利要求1所述的后段制程中双重图形化方法，其特征在于，在所述互连金属线沟槽中填充形成互连金属线的步骤包括：

覆盖互连金属线薄膜，所述互连金属线薄膜填充所述互连金属线沟槽；及

进行化学机械研磨工艺，去除位于所述互连金属线沟槽以外的互连金属线薄膜和硬掩膜层，以在所述互连金属线沟槽中填充形成互连金属线。

10.如权利要求1至9中任意一项所述的后段制程中双重图形化方法，其特征在于，所述第一图案化的光刻胶和第二图案化的光刻胶的材质为氟化氪或氟化氩。