[发明专利]高密度等离子体化学气相沉积设备腔体刻蚀清洗方法有效
申请号: | 201210144425.0 | 申请日: | 2012-05-10 |
公开(公告)号: | CN103388127A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 成鑫华 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高密度 等离子体 化学 沉积 设备 刻蚀 清洗 方法 | ||
1.一种高密度等离子体化学气相沉积设备腔体刻蚀清洗的方法,其特征在于,包括如下步骤:先对设备腔体加热到设定时间;然后分两步对设备腔体进行刻蚀清洗。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述对设备腔体加热的参数为:时间0.1~80秒,微波功率1000瓦~5000瓦,腔体压力100微托~200豪托,气体流量100~1000毫升/每分钟。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:对设备腔体进行第一步刻蚀清洗的参数为:时间0.1~260秒,微波功率1000瓦~5000瓦,腔体压力100微拖~5托,三氟化氮流量500~3500毫升/每分钟。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:对设备腔体进行第二步刻蚀清洗的参数为:时间0.1~120秒,微波功率1000瓦~5000瓦,腔体压力100微拖~5托,三氟化氮流量500~3000毫升/每分钟。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述“先对设备腔体加热到设定时间;然后分两步对设备腔体进行刻蚀清洗”,多次循环进行。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于:多次循环进行时所需的总时间小于500秒。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的