[发明专利]高密度等离子体化学气相沉积设备腔体刻蚀清洗方法有效

专利信息
申请号: 201210144425.0 申请日: 2012-05-10
公开(公告)号: CN103388127A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 成鑫华 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: C23C16/00 分类号: C23C16/00;H01L21/67
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 高密度 等离子体 化学 沉积 设备 刻蚀 清洗 方法
【权利要求书】:

1.一种高密度等离子体化学气相沉积设备腔体刻蚀清洗的方法,其特征在于,包括如下步骤:先对设备腔体加热到设定时间;然后分两步对设备腔体进行刻蚀清洗。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述对设备腔体加热的参数为:时间0.1~80秒,微波功率1000瓦~5000瓦,腔体压力100微托~200豪托,气体流量100~1000毫升/每分钟。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:对设备腔体进行第一步刻蚀清洗的参数为:时间0.1~260秒,微波功率1000瓦~5000瓦,腔体压力100微拖~5托,三氟化氮流量500~3500毫升/每分钟。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:对设备腔体进行第二步刻蚀清洗的参数为:时间0.1~120秒,微波功率1000瓦~5000瓦,腔体压力100微拖~5托,三氟化氮流量500~3000毫升/每分钟。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述“先对设备腔体加热到设定时间;然后分两步对设备腔体进行刻蚀清洗”,多次循环进行。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于:多次循环进行时所需的总时间小于500秒。

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