[发明专利]金属氧化物半导体晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包括：

提供一具有浅沟槽隔离的半导体衬底，所述半导体衬底自下而上依次外延有锗硅层和单晶硅层；

形成栅极结构，所述栅极结构包括位于栅极两侧的第一侧壁层、位于栅极顶部的硬掩膜层以及位于栅极底部且与外延的单晶硅层接触的栅氧化层；

以所述硬掩膜层和第一侧壁层为遮挡，刻蚀外延的单晶硅层至锗硅层，形成位于源漏区域的凹槽；

沉积第二侧壁层材料并进行各向异性干法刻蚀，形成位于凹槽内部两侧的第二侧壁层；

在凹槽内部形成预定高度的阻挡材料，所述高度低于外延的单晶硅层的高度，以所述阻挡材料为遮挡进行刻蚀，去除未被阻挡材料覆盖的第二侧壁层；

去除阻挡材料之后，在所述凹槽内形成源漏层；

湿法刻蚀浅沟槽隔离至露出锗硅层；

湿法刻蚀显露出的锗硅层至栅极下方的沟道区域，形成金属氧化物半导体晶体管；

沉积层间介质层覆盖所述金属氧化物半导体晶体管，在半导体衬底表面和源漏层之间形成空气埋层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成源漏层之后，湿法刻蚀浅沟槽隔离至露出锗硅层之前，该方法进一步包括以栅极两侧的第一侧壁层为遮挡对源漏层进行浅掺杂漏LDD注入的步骤。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在LDD注入之后，湿法刻蚀浅沟槽隔离至露出锗硅层之前，该方法进一步包括在第一侧壁层的两侧形成第三侧壁层，以第一和第三侧壁层为遮挡，进行源漏注入的步骤。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，湿法刻蚀浅沟槽隔离至露出锗硅层时，该方法进一步包括湿法去除所述硬掩膜层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，锗硅层的厚度为5～120纳米；单晶硅层的厚度为5～120纳米。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡材料为光阻或者底部抗反射涂层或者无定形碳。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，阻挡材料的上表面与外延的单晶硅层上表面之间的距离为5～30纳米。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除未被阻挡材料覆盖的第二侧壁层采用各向同性的干法刻蚀或者湿法刻蚀。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述凹槽内形成源漏层的厚度为30～150纳米。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用外延的方法形成源漏层，所述源漏层的材料为硅、碳化硅或者锗硅。