[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，

在基板上表面上的氮化物半导体区域内，按顺序包括一个以上的n型氮化物半导体层、有源层及一个以上的p型氮化物半导体层，

所述n型氮化物半导体层具有从所述p型氮化物半导体层侧进行蚀刻而形成的局部露出区域，

在所述n型氮化物半导体层的所述局部露出区域形成有n侧电极焊盘，

在所述p型氮化物半导体层上形成有电流扩散层，

在所述电流扩散层上形成有p侧电极焊盘及从该p侧电极焊盘延伸的p侧分支电极，

所述电流扩散层的薄层电阻Rs2大于所述n型氮化物半导体层的薄层电阻Rs1，

所述电流扩散层的薄层电阻Rs2和所述n型氮化物半导体层的薄层电阻Rs1的关系为Rs2＝x×Rs1，式中1.5≤x≤4。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述n型氮化物半导体层的薄层电阻Rs1不到10Ω/□。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述n型氮化物半导体层的所述局部露出区域形成有所述n侧电极焊盘及从该n侧电极焊盘延伸的n侧分支电极。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述基板上表面上的所述氮化物半导体区域内，所述n型氮化物半导体层的所述局部露出区域形成在由所述p侧电极焊盘及从该p侧电极焊盘延伸的所述p侧分支电极包围的大致中央部。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述p侧电极焊盘及从该p侧电极焊盘延伸的所述p侧分支电极的下部形成的所述电流扩散层和所述p型氮化物半导体层之间形成有电流非注入层。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述氮化物半导体发光元件通过100mA以上的大电流来驱动。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述氮化物半导体区域是矩形状，在用直线连接所述p侧电极焊盘的中心和所述n侧电极焊盘的中心时，将与该直线平行的所述氮化物半导体区域的边的长度设为Y，将与所述直线垂直的边的长度设为X，则满足0.8≤Y/X＜1的条件。

8.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，满足Y/X＝0.9的条件。

9.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述p侧电极焊盘及所述n侧电极焊盘在所述氮化物半导体区域的长边方向的中央沿着短边方向并排配置，与所述p侧电极焊盘相比，所述n侧电极焊盘配置在所述氮化物半导体区域的中央附近。

10.一种氮化物半导体发光元件的制造方法，至少具有：

在基板上表面上的氮化物半导体区域内，按顺序形成一个以上的n型氮化物半导体层、有源层及一个以上的p型氮化物半导体层的工序；

通过蚀刻所述p型氮化物半导体层的一部分而形成所述n型氮化物半导体层的局部露出区域的工序；

在所述n型氮化物半导体层的所述局部露出区域形成n侧电极焊盘的工序；

在所述p型氮化物半导体层上形成电流扩散层的工序；

在所述电流扩散层上形成p侧电极焊盘及从该p侧电极焊盘延伸的p侧分支电极的工序；

  该制造方法的特征在于，通过对所述电流扩散层进行退火，使所述电流扩散层的薄层电阻Rs2大于所述n型氮化物半导体层的薄层电阻Rs1。

11.根据权利要求10所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，对所述电流扩散层进行退火，以使所述电流扩散层的薄层电阻Rs2和所述n型氮化物半导体层的薄层电阻Rs1的关系为

Rs2＝x×Rs1，式中1.5≤x≤4。

12.根据权利要求10所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述n型氮化物半导体层的薄层电阻Rs1不到10Ω/□。

13.根据权利要求10所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述电流扩散层的退火在380～450℃的温度范围内进行。

14.根据权利要求13所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述电流扩散层的退火在410～430℃的温度范围内进行。

15.根据权利要求14所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述电流扩散层的退火在约410℃的温度下进行。