[发明专利]沟渠电容的制作方法

权利要求书

1.一种沟渠电容的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一个基底；

形成至少一个扩大沟渠在基底中；

形成第一绝缘层在沟渠的内部；以及

沉积金属层，至少覆盖沟渠内部的第一绝缘层。

2.根据权利要求1所述的沟渠电容制作的方法，其特征在于，更包括对所述基底进行离子注入步骤。

3.根据权利要求1所述的沟渠电容制作方法，其特征在于，所述基底是硅基底、N型掺杂基底或P型掺杂基底。

4.根据权利要求1所述的沟渠电容制作方法，其特征在于，更包括形成第二绝缘层在所述扩大沟渠内的所述金属层上且填满扩大沟渠。

5.根据权利要求1所述的沟渠电容制作方法，其特征在于，在形成所述金属层后，更包括蚀刻所述扩大沟渠开口处的部份金属层。

6.根据权利要求1所述的沟渠电容制作方法，其特征在于，更包含形成图案化屏蔽层，位在所述基底上，其中所述图案化屏蔽层可为单层或复合层材料。

7.根据权利要求1所述的沟渠电容制作方法，其特征在于形成所述扩大沟渠的方法包括对所述基底形成沟渠，再对所述沟渠进行蚀刻形成所述的扩大沟渠。

8.根据权利要求1所述的沟渠电容制作方法，其中形成所述扩大沟渠的方法包括仅有一次蚀刻形成所述的扩大沟渠。