[发明专利]用于减薄半导体工件的系统

权利要求书

1.一种半导体工件，包括：

主体，所述主体的厚度小于约150微米；以及

边沿，所述边沿连接至所述主体，并且，所述边沿的厚度在约150至725微米的范围内。

2.如权利要求1所述的半导体工件，其中，所述主体厚度小于100微米。

3.如权利要求1所述的半导体工件，其中，所述主体厚度小于50微米。

4.如权利要求1所述的半导体工件，其中，所述主体厚度小于25微米。

5.如权利要求1所述的半导体工件，其中，所述边沿和所述主体是一体的。

6.如权利要求1所述的半导体工件，其中，所述边沿和所述主体由硅组成。

7.如权利要求1所述的半导体工件，其中，所述边沿的厚度在约600-725微米的范围内。

8.如权利要求1所述的半导体工件，其中，所述边沿的厚度在约300-725微米的范围内。

9.一种半导体工件，所述半导体工件具有背面表面区域BSSA，所述半导体工件包括：

边沿，所述边沿包括小于所述BSSA的约5％，并具有厚度RT；以及

主体，所述主体具有厚度MBT，MBT小于RT的约50％。

10.如权利要求9所述的半导体工件，其中，所述边沿包括小于所述BSSA的约3％。

11.如权利要求9所述的半导体工件，其中，所述边沿包括小于所述BSSA的约1％。

12.如权利要求9所述的半导体工件，其中，所述MBT小于所述RT的约40％。

13.如权利要求9所述的半导体工件，其中，所述MBT小于所述RT的约30％。

14.如权利要求9所述的半导体工件，其中，所述MBT小于所述RT的约20％。

15.如权利要求9所述的半导体工件，其中，所述MBT小于所述RT的约10％。

16.如权利要求9所述的半导体工件，其中，所述MBT小于所述RT的约5％。

17.如权利要求9所述的半导体工件，其中，所述边沿给所述主体给予结构完整性。

18.一种半导体工件，所述半导体工件具有背面表面区域BSSA，所述半导体工件包括：

主体，所述主体包括所述BSSA的至少95％；

边沿，所述边沿连接至所述主体，并包括小于所述BSSA的约5％，所述边沿具有厚度RT，并由与所述主体相同的材料形成；以及

所述主体的厚度小于所述RT的约50％。

19.如权利要求18所述的半导体工件，其中，所述相同的材料为硅。

20.如权利要求18所述的半导体工件，其中，所述主体的厚度小于所述RT的约40％。

21.如权利要求18所述的半导体工件，其中，所述主体的厚度小于所述RT的约30％。

22.如权利要求18所述的半导体工件，其中，所述主体的厚度小于所述RT的约20％。

23.如权利要求18所述的半导体工件，其中，所述主体的厚度小于所述RT的约10％。

24.一种减薄半导体工件的背面的工艺，其中，所述半导体工件具有表面区域BSSA，所述工艺包括步骤：

将所述半导体工件放入卡盘，所述卡盘适于覆盖所述工件的背面的周边部，留下所述BSSA的至少95％被暴露；以及

减薄被暴露的所述工件的背面，以产生：具有厚度RT的边沿；以及主体，所述主体的厚度小于所述RT的约50％。

25.如权利要求24所述的工艺，其中，所述主体的厚度小于所述RT的约40％。

26.如权利要求24所述的工艺，其中，所述主体的厚度小于所述RT的约30％。

27.如权利要求24所述的工艺，其中，所述主体的厚度小于所述RT的约20％。

28.如权利要求24所述的工艺，其中，所述主体的厚度小于所述RT的约10％。