[发明专利]侧装控制器及其制造方法

说明书

背景技术

NAND闪存以及其它类型的非易失性存储器(“NVM”)通常用于大容量存储。例如，诸如便携式媒体播放器的消费电子设备通常包括闪存以存储音乐、视频、以及其它媒体。

闪存以硅管芯的形式存在，且在一些实现中，可以使用多于一个的管芯。多管芯实现具有更大存储容量，但是也需要额外的有效面积(real estate)和关联的支持电子电路，例如总线、控制电路、和功率电路。此外，控制电路可被置于多管芯堆叠顶上或管芯附近的印刷电路板上，这两者都会增加系统的总空间需求。

发明内容

公开了具有垂直堆叠管芯和侧装电路的管芯封装及其制造方法。与安装到堆叠的上表面相反，所述侧装电路被安装至该堆叠的侧面区域，例如该堆叠的垂直表面，以减小NVM封装的高度。

附图说明

如下通过结合其中相似参考标记始终表示相似部分的附图的详细说明，本发明的上述和其它特点与优点将变得更加显见，在附图中：

图1示出了根据本发明各个实施例的非易失性存储器封装的说明性透视图；

图2A-D示出了根据本发明各个实施例的各种非易失性存储器封装的说明性截面图；

图3A-F示出了根据本发明各个实施例的堆叠管芯封装的说明性视图；

图4示出了根据本发明各个实施例的NVM封装的说明性侧视图；

图5A和5B示出了根据本发明各个实施例的NVM封装的说明性侧视图；

图6A-B示出了根据本发明各个实施例的管芯封装的说明性视图；

图7A和7B示出了根据本发明各个实施例的NVM封装的说明性侧视图和顶视图；

图8示出了根据本发明各个实施例的用于制造具有侧装控制电路的NVM封装的说明性工艺的流程图；以及

图9示出了根据本发明各个实施例的使用非易失性存储器封装的系统的简化框图。

具体实施方式

提供了具有垂直堆叠管芯和侧装控制电路的管芯封装及其制造方法。管芯的堆叠会产生与堆叠的上下表面垂直和/或非垂直的垂直表面(或壁)。这些垂直表面用作可以在其上安装各种侧装电路的有效面积。如在此定义的，垂直表面可以是垂直堆叠的任何侧面，且垂直表面可以垂直于上下表面，或它相对于上下表面可以是不垂直的。根据本发明的实施例，侧装电路能被安装到一个或多个垂直表面的一部分上。侧装电路能够减小NVM封装的高度和占地面积。这种减小能够有利地满足要求减小电子器件体积的设计准则，同时提供相同或增加的存储容量。

现在参考图1，示出了根据实施例构造的NVM封装100的说明性透视图。NVM封装100可以包括NVM管芯102的垂直堆叠和侧装电路104。侧装电路104可以安装在垂直表面106a-d中的一个表面的一部分上。如图1所示，例如，电路104被安装在垂直表面106a上。在其它实施例中，电路可以安装在垂直表面106a-d中的两个或更多个表面上。

NVM管芯102中的各管芯在形状上可以基本为矩形(例如，矩形或方形)，因而可以具有长度、宽度、上表面、下表面、侧表面、和边缘。虽然仅仅在图1中示出了4个管芯，但是本领域技术人员将会理解可以堆叠任何合适数量的NVM管芯102以形成垂直堆叠(例如，8个或16个NVM管芯)。垂直表面106a-d由每个管芯102侧表面的集合形成。因而，随着堆叠中的管芯102数量的增加，垂直表面106a-d的面积相应增加。垂直表面106a-d不同于NVM封装100的上表面107和下表面108。

管芯102可以包括基于浮栅或电荷俘获技术的NAND闪存(例如，各管芯102可以是NAND闪速芯片)、NOR闪存、EPROM、EEPROM、铁电RAM(“FRAM”)、或磁阻RAM(“MRAM”)。管芯102可以是“生(raw)”NAND且同样地包含用于存储数据的单级单元(“SLC”)和/或多级单元(“MLC”)、地址线(例如，字线)、用于访问SLC或MLC的寻址电路、以及诸如电荷泵的其它特定于管芯的电路。

应当明了虽然在此涉及的管芯102为NAND闪存管芯，但是管芯102可以是任何其它合适的硅基产品。例如，管芯102可以是易失性存储器管芯，例如DRAM或SRAM。作为另一实施例，可以堆叠具有不同功能的管芯。例如，堆叠可以包括片上系统(“SOC”)管芯、DRAM管芯、和NAND管芯，并且侧装电路可以安装在该堆叠的侧面。