[发明专利]电子部件内藏基板以及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子部件内藏基板以及其制造方法。

背景技术

近年来，在电子行业中不断要求电子机器的更加小型化、薄型化、高密度安装化，即使相对于安装有被用于电子机器的IC芯片等的所谓半导体装置的有源部件(active component)；以及电容器、电感线圈、热敏电阻、电阻等无源部件(passive components)等的电子部件的电路基板模块也热切希望有更进一步的小型化和薄型化。最近，为了对应于这样的小型化以及薄型化的要求，有方案提出具有将电子部件埋设于基板内部的高密度安装构造的电子部件内藏基板。

像这样的电子部件内藏基板例如是通过以下所述而形成的，即，在将电子部件埋设于由树脂或者树脂组合物构成的绝缘层之后，在该电子部件的端子上的绝缘层上由激光加工或者喷砂(blast)加工穿设贯通孔(via hole)和插头(plug)用通孔的连接孔从而使端子导体露出，并实施包括其连接孔内部在内的金属电镀等，经由绝缘层将配线(线路图形)连接于电子部件的端子。

那时，为了良好地使电子部件的端子导体与配线导体相连接而对其端子的各种各样的构造作了研讨。例如，在专利文献1中记载有以下所述电子部件安装构造，即，该电子部件安装构造具备电子部件，该电子部件被构成为，在半导体装置的连接垫(端子)为Al的情况下，为了防止由激光加工蚀刻Al而损伤连接垫或者半导体装置，该连接垫由Al膜/Ni膜/Cu膜、Al膜/Ni膜/Au膜、Al膜/Ni膜/Cu膜/Au膜、Al膜/Ni膜/Ag膜、Al膜/Cr膜/Cu膜、Al膜/导电性膏体膜、Al膜/Ti膜/导电性膏体膜、Al膜/Cr膜/导电性膏体膜、以及Al膜/Ti膜/Cu膜(任意一种都是从下层开始的层叠顺序)中的任意一种构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开2008-288607号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，关于上述现有的电子部件安装构造，连接垫的上层膜(Al膜上的膜)的在激光加工过程中的蚀刻速率因为小于Al膜的蚀刻速率，该上层膜能够作为激光蚀刻阻挡层而起作用，但是本发明人在对其进行了仔细研究之后，判明该上层膜和配线导体的在连接部位上的电阻会发生不良增大从而导致导电特性恶化的可能。特别是在具有被高集成化的细微构造的电子部件内藏基板中，从提高装置整体性能的观点出发，尽管电子部件的导电特性只有一点点下降那也是不可取的。而且，关于专利文献1所记载的技术是推荐尽可能增厚上层膜的膜厚并且尽可能增大其连接垫面积(参照专利文献1的第0051段)，这样说来也就可以推测导电特性的恶化会变得更为显著。

因此，本发明是鉴于以上所述的技术问题而完成，其目的在于提供能够有效防止电子部件的损伤以及起因于该损伤的不良状况的发生和产品合格率降低，同时减小电子部件的端子与配线的连接部位上的电阻从而改善导电特性，并还能够进一步提高IC端子与树脂绝缘层的紧密附着性的电子部件内藏基板以及其制造方法。

解决技术问题的手段

为了解决上述技术问题，本发明人专注于电子部件上的连接垫等端子的构造以及材质等与配线后的电连接性以及机械性的粘合性之间的关系并经反复悉心研究，从而完成了本发明。

即，本发明所涉及的电子部件内藏基板具备：基板；电子部件，具有端子(外部连接用的外部端子)并且被载置于所述基板上；绝缘层，以覆盖所述电子部件的形式而形成；配线层，与所述电子部件的所述端子相电连接；所述电子部件的所述端子具有多层金属层，并且所述多层金属层具有最外层以及位于比该最外层更下层侧的连接层的至少2层，所述最外层其电阻高于所述连接层或者所述配线层，且在与所述绝缘层相接触的部位形成所述最外层，所述绝缘层与所述最外层被直接粘合，在与所述配线层相接触的部位不形成所述最外层，所述配线层与所述连接层不通过所述最外层进行电连接。