[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

电极；

绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述电极上方且具有用于暴露所述电极的开口；

凸块下金属，所述凸块下金属形成在所述绝缘膜上方且经由所述开口与所述电极连接；和

焊球，所述焊球形成在所述凸块下金属上方，

其中位于所述电极上方的所述开口中的第一部分的厚度A和位于所述绝缘膜上方的所述开口周围的第二部分的厚度B满足条件：A/B≥1.5，并且

其中所述开口和所述焊球是一一对应的。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一部分的厚度为2μm或更大。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二部分的厚度为1μm或更大。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二部分的厚度为2μm或更小。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述凸块下金属包括镍层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一部分的上表面和所述第二部分的上表面限定同一平面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述焊球是无铅焊料。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在厚度方向上所述凸块下金属的多个部分通过分开的步骤分别形成。

9.一种半导体器件的制造方法，包括：

在电极上方形成绝缘膜，所述绝缘膜具有用于暴露所述电极的开口；

在所述绝缘膜上方形成凸块下金属，使得所述凸块下金属经由所述开口与所述电极连接；和

在所述凸块下金属上方形成焊球，使得所述开口和所述焊球一一对应，

其中在形成所述凸块下金属的步骤中以下述方式形成所述凸块下金属，所述方式使得所述凸块下金属中，位于所述电极上方的所述开口中的第一部分的厚度A和位于所述绝缘膜上方的所述开口周围的第二部分的厚度B满足条件：A/B≥1.5。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中在形成所述凸块下金属的步骤中，通过镀覆方法形成所述凸块下金属。

11.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中在形成所述凸块下金属的步骤中，所述凸块下金属在厚度方向上的多个部分通过分开的步骤分别形成。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中在形成所述凸块下金属的步骤中，依次执行在所述开口中形成所述凸块下金属的一部分的步骤和在所述绝缘膜上方的所述开口周围形成所述凸块下金属的剩余部分的步骤。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中在形成所述凸块下金属的所述一部分的步骤中，所述方法依次执行下面的步骤：

形成第一掩膜，所述第一掩膜具有与用于形成所述一部分的范围对应的第一开口部分；

通过镀覆方法在所述第一开口部分中形成所述一部分；

移除所述第一掩膜；

形成第二掩膜，所述第二掩膜在平面图中具有与所述凸块下金属的外形对应的第二开口部分；

通过镀覆方法在所述第二开口部分中形成所述凸块下金属的剩余部分；和

移除所述第二掩膜。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中在移除所述第一掩膜的步骤中，所述方法依次执行下面的步骤：

通过使用剥离溶液剥离所述第一掩膜；

对所述凸块下金属的所述一部分执行灰化处理；和

移除由于所述灰化处理而形成在所述凸块下金属的所述一部分的表面上的氧化层。

15.根据权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其中移除所述氧化层的步骤包括通过还原移除所述氧化层的步骤。

16.根据权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其中通过还原移除所述氧化层的步骤包括还原气氛中的等离子体处理。

17.根据权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其中移除所述氧化层的步骤包括通过抛光移除所述氧化层的步骤。

18.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述焊球形成在一个所述开口上方。

19.一种半导体器件，包括：

电极；

绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述电极上方且具有用于暴露所述电极的开口；

凸块下金属，所述凸块下金属形成在所述绝缘膜上方且经由所述开口与所述电极连接；和

导电柱状部分，所述导电柱状部分形成在所述凸块下金属上方，

其中位于所述开口中的所述电极上方的第一部分的厚度A和位于所述绝缘膜上方的所述开口周围的第二部分的厚度B满足条件：A/B≥1.5，并且

其中所述开口和所述导电柱状部分是一一对应的。