[发明专利]一种半导体发光器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

S1、形成外延片：所述外延片包括在衬底上顺序生长出缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层；

S2、形成保护区：在所述外延片的p型氮化物层表面涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行光刻处理，以便在相邻芯片之间的间隔区形成光刻胶保护区；

S3、形成反射层：在所述p型氮化物层表面和光刻胶保护区表面沉积金属反射层；

S4、形成p电极：在所述金属反射层上沉积预定的p电极；

S5、去除保护区：将保护区的光刻胶及附着在其上的金属反射层和p电极去除，直至露出被光刻胶覆盖的p型氮化物层表面；

S6、去除衬底及缓冲层：采用研磨抛光的工艺将外延片中的衬底及缓冲层移除，直至露出n型氮化物层表面；

S7、形成n电极：在所述n型氮化物层表面沉积预定的n电极；

S8、形成单个芯片：从所述去除的保护区间隔处对准，依次进行直接崩裂，分离得到若干单个垂直结构LED芯片。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中光刻胶的涂覆厚度为2-3微米。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中金属反射层的材料为铝或银。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中金属反射层的厚度为100-500纳米。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中p电极的厚度为80-150微米。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中去除保护区具体包括以下步骤：

S51、将带有光刻胶层的晶圆放入去胶液中浸泡并施加超声波振荡，所述去胶液的温度为70-85℃，浸泡的时间为15-30分钟；

S52、然后放入到丙酮中浸泡，所述丙酮的温度为40-45℃，浸泡的时间为10-20分钟；

S53、最后放入到异丙醇中浸泡，所述异丙醇的温度为45-55℃，浸泡的时间为15-20分钟。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S6中研磨抛光的工艺具体包括以下步骤：

S61、以晶圆的衬底面朝上将其固定在陶瓷盘中心，始终保持冷却液喷射，通过砂轮转动前进对衬底及缓冲层进行研磨；

S62、对研磨后的陶瓷盘施加压力使固定在陶瓷盘上的晶圆衬底与抛光设备中的铜盘接触，间隔喷洒抛光液，通过铜盘与陶瓷盘的同向或反向转动对衬底及缓冲层进行抛光。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S61中，所述砂轮的转速为400-500rpm，砂轮的前进速度0.6-0.8微米/秒。

9.根据权利要求7所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S62中，所述铜盘的转速为50-60rpm，陶瓷盘的转速为30-50rpm，抛光液每隔15-20秒喷洒1-3秒，对陶瓷盘施加的压力为3-5Kg。

10.根据权利要求7所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，在所述步骤S62之后进一步包括，将研磨抛光后的晶圆在加热的碱性溶液中进行超声浸泡清洗，碱性溶液的温度为200-240℃。

11.根据权利要求1所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，在所述步骤S7中形成n电极之前，还包括对n型氮化物层表面进行粗化处理的步骤。

12.根据权利要求1所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，在所述步骤S7中形成n电极之后，还包括在n型氮化物层和n电极表面沉积绝缘钝化层的步骤。