[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

装置基板；和

在上述装置基板上接合的支持基板；

上述装置基板在与上述支持基板的接合面侧的外周部具有第1沟槽。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述支持基板在与上述装置基板的接合面侧的外周部具有第2沟槽。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述装置基板具有成为与上述支持基板的接合面的第1绝缘层，上述第1沟槽在上述第1绝缘层形成。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述装置基板包括：

半导体层，在上述支持基板下形成，具有将从下部侧照射的光信号变换并积蓄电荷的受光部；和

布线层，在上述支持基板下且上述半导体层上形成，具有将上述多个受光部积蓄的电荷读出的电路部。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述第1绝缘层是硅氧化膜或low-k膜。

6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述第1沟槽以贯通上述第1绝缘层的方式形成。

7.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，上述布线层在外周部具有防护环。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，上述第1沟槽在上述防护环的正上方形成。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第1沟槽是空洞，或用与其周围不同的材料埋入。

10.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述第2沟槽在上述第1沟槽的正上方形成。

11.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述第2沟槽是空洞，或用与其周围不同的材料埋入。

12.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述第2沟槽以贯通上述支持基板的方式形成。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述支持基板具有成为与上述装置基板的接合面的第2绝缘层。

14.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述支持基板具有成为与上述装置基板的接合面的第2绝缘层；

上述第2沟槽在上述第2绝缘层形成。

15.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第2沟槽以贯通上述第2绝缘层的方式形成。

16.一种半导体装置，其特征在于，包括：

在外周部具有防护环的装置基板；和

在上述装置基板上接合的支持基板；

其中上述支持基板在与上述装置基板的接合面侧的外周部且比上述防护环更内侧具有沟槽。

17.如权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，上述装置基板包括：

半导体层，在上述支持基板下形成，具有将从下部侧照射的光信号变换并积蓄电荷的受光部；和

布线层，在上述支持基板下且上述半导体层上形成，具有将上述多个受光部积蓄的电荷读出的电路部。

18.如权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，上述沟槽以贯通上述支持基板的方式形成。

19.如权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，上述沟槽是空洞，或用与其周围不同的材料埋入。

20.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在装置基板的接合面侧的芯片的外周部且切割线的内侧形成沟槽；

在上述装置基板的接合面侧接合支持基板；和

将接合的上述装置基板及上述支持基板沿着上述切割线切割。