[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法以及具有其的显示器

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管基板、其制作方法，及具有薄膜晶体管基板的显示器，特别是涉及一种具有短通道的薄膜晶体管基板、其制作方法，及具有其的显示器。 

背景技术

参阅图1，为目前常见的液晶显示器，主要包括一个背光模块11，及一个位于背光模块11上的液晶显示面板12。 

详细地说，该背光模块11位于液晶显示面板12的背面，并朝向液晶显示面板12发光。液晶显示面板12具有一个薄膜晶体管基板13、一个彩色滤光片基板14、介于上述两基板12、13间的一层液晶层15、二层配向层16及二个偏光板17。该薄膜晶体管基板13包括一层基板层131、多数薄膜晶体管132、多数个电路走线(未绘示)、多数个储存电容151，及一层像素电极层152。该彩色滤光片基板14包括一层基板层141、多数个黑色矩阵142、多数个彩色滤光片143(包括红、绿、蓝三种颜色)及一层透明的共用电极层144。当液晶层15受驱动电压而改变其状态，影响穿透光的延迟量，光经由偏光板17后会呈现灰阶显示效果。 

配合参阅图2，其中，该薄膜晶体管基板13之底栅极式薄膜晶体管132包括一个栅极133、一层栅极绝缘层134、一层半导体层135、一层欧姆接触层136、一个源极137、一个漏极138及一层保护层139。该图案化的栅极133形成于基板层131上，该栅极绝缘层134覆盖该基板层131及该栅极133。图案化的该半导体层135相对该栅极133而形成于栅极绝缘层134上，接着于其上方形成图案化的欧姆接触层136，该欧姆接触层136的两边界定义下方半导体层135的一通道，此通道长度与薄膜晶体管的导电特性相关，一般而言，通道长度短则导电特性佳。接着将图案化的源极137及漏极138分别覆盖该半导体层135两侧，再覆盖具有一个接触孔140的保护层139。 

目前此类底栅极式薄膜晶体管132的通道长度受限于黄光及蚀刻制作工艺的限制，约为数个微米(um)，难以继续微缩，所以无法对应高频驱动的产品。如何缩短通道长度关系着产品技术的提升，也可有效降低成本。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有短通道的薄膜晶体管基板。 

本发明的另一目的在于提供一种具有短通道的薄膜晶体管基板的制作方法。 

本发明的另一目的在于提供一种具有短通道的薄膜晶体管基板的显示器。 

为达上述目的，本发明的薄膜晶体管基板，包含一层基板层、一个位于该基板层上的栅极、一层位于该栅极上的栅极绝缘层、一层位于该栅极绝缘层上的一层半导体层，及一层电极层，该半导体层位于该栅极绝缘层上，包括一个第一平坦部、一个第二平坦部，及一个连接该第一平坦部与该第二平坦部的斜坡部。该电极层包括一个漏极及一个源极，该漏极位于该第一平坦部上，该源极位于该第二平坦部上。 

较佳地，前述薄膜晶体管基板，其中该斜坡部与该第二平坦部形成一个夹角，该夹角大于90°且小于150°。 

较佳地，前述薄膜晶体管基板，其中该基板层具有一层遮光层，该遮光层相对于该斜坡部设置。 

较佳地，前述薄膜晶体管基板，其中该漏极及该第一平坦部间具有一层第一欧姆接触层，该源极及该第二平坦部间具有一层第二欧姆接触层。 

较佳地，前述薄膜晶体管基板还包含一层保护层及一层像素电极层，该保护层介于该像素电极层及该电极层间，该保护层包含一接触孔，而该像素电极层经由该接触孔与该源极电连接。 

较佳地，前述薄膜晶体管基板，其中该斜坡部长度介于0.05微米～1微米。 

本发明薄膜晶体管基板的制作方法包含：(a)在一层基板层上形成一个栅极；(b)在该栅极及该基板层上依序形成一层栅极绝缘层、一层半导体层及一层电极准备层，其中该半导体层具有一个第一平坦部、一个第二平坦部，及一个连接该第一平坦部与该第二平坦部的斜坡部；(c)在该电极准备层上 形成一图案化的光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层包括一层第一光致抗蚀剂层、一层第二光致抗蚀剂层及一层第三光致抗蚀剂层，其中该第二光致抗蚀剂层相对该斜坡部设置，且该第二光致抗蚀剂层厚度小于该第一光致抗蚀剂层厚度及该第三光致抗蚀剂层厚度，再将该第二光致抗蚀剂层移除；(d)移除相对该第二光致抗蚀剂层的该电极准备层，直到裸露该半导体层；及(e)移除该第一光致抗蚀剂层及该第三光致抗蚀剂层。 

较佳地，前述薄膜晶体管基板的制作方法，其中该步骤(a)在一个基材上形成一层图案化的遮光层，再于该图案化遮光层上形成一个填充材，而形成该基板层。