[发明专利]一种半导体处理设备及其使用方法

权利要求书

1.一种晶圆盖，其中：

所述晶圆盖(100)包括底面、以及与该底面相连接且环绕该底面的侧壁，该侧壁和底面之间的空间形成凹槽。

2.根据权利要求1所述的晶圆盖，其中：

所述晶圆盖(100)的侧壁与底面形成两个凹槽，该两个凹槽分别位于该底面的两侧。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆盖，其中，所述凹槽的形状为圆形。

4.根据权利要求1或2所述的晶圆盖，其中，所述晶圆盖(100)直径的范围为100mm-450mm。

5.根据权利要求1或2所述的晶圆盖，其中，所述晶圆盖(100)的厚度范围为0.1mm-5mm。

6.根据权利要求1或2所述的晶圆盖，其中：

所述晶圆盖(100)的材料包括氧化硅、单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe、多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、非晶Si、非晶Ge、非晶SiGe、III-V或II-VI族化合物半导体或其组合；或者

所述晶圆盖(100)的材料包括不锈钢、铜、以及表面镀有氧化硅、氮化硅的不锈钢和铜中的一种或其任意组合。

7.根据权利要求1或2所述的晶圆盖，其中，所述侧壁的上表面为粗糙结构。

8.根据权利要求1、2或7所述的晶圆盖，其中，在所述侧壁上存在贯通该侧壁、且与所述凹槽相连通的孔(104)。

9.一种处理容器，其中：

在所述处理容器腔内(201)的底部具有一个或者多个第一沟槽(202)，该一个或者多个第一沟槽(202)均具两个侧壁，其特征在于：

在所述两个侧壁中，至少有一个侧壁呈倾斜状态。 

10.根据权利要求9所述的处理容器，其中，与所述第一沟槽(202)延伸方向相垂直的截面为倒置的梯形或三角形。

11.根据权利要求9所述的处理容器，其中，在所述处理容器腔内(201)的顶部设置有一个或者多个隔板(203)。

12.根据权利要求9所述的处理容器，其中，在每个所述第一沟槽(202)具有一个底部，并且在所述沟槽的底部设置有一个第一矩形沟槽(204)。

13.根据权利要求12所述的处理容器，其中，所述第一矩形沟槽(204)的宽度与晶片盖的厚度一致。

14.根据权利要求9或12所述的处理容器，其中：

所述第一沟槽(202)或所述第一矩形沟槽(204)具有一个底部；

所述处理容器(200)的底部设置有进气孔(205)，该进气孔(205)与所述第一沟槽(202)或所述第一矩形沟槽(204)的底部相连通。

15.根据权利要求14所述的处理容器，其中，所述处理容器中放置有权利要求8中所述的晶圆盖，所述晶圆盖侧壁上的孔(104)与所述处理容器(200)的底部的进气孔(205)相连通。

16.一种配重，该配重用于夹持晶圆和晶圆盖，其中：

所述配重(300)具有至少一个第二沟槽(301)，该第二沟槽(301)具两个侧壁，在所述两个侧壁中，至少有一个侧壁呈倾斜状态。

17.根据权利要求16所述的配重，其中，与所述第二沟槽(301)延伸方向相垂直的截面为倒置的梯形或三角形。

18.根据权利要求16或17所述的配重，其中，在每个所述第二沟槽(301)具有一个底部，并且在所述第二沟槽(301)的底部设置有一个第二矩形沟槽(302)。

19.根据权利要求16或17所述的配重，其中，所述配重(300)的材料为石英。

20.一种半导体处理设备，该半导体处理设备包括：

权利要求1-8中的任何一项所述的晶圆盖(100)；

权利要求9-15中的任何一项所述的处理容器(200)；以及 

权利要求16-19中的任何一项所述的配重(300)。