[发明专利]半导体封装方法

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

提供一基板，其包括上表面以及与上表面相背的下表面，所述基板上包括感光区，以及与所述感光区电性连接的焊垫；

提供一临时基板，在所述临时基板上形成收容空间，所述收容空间至少可容纳所述感光区；

在所述临时基板形成有收容空间的一面上设置粘合剂，并将其贴合在所述基板的上表面上，所述感光区位于所述收容空间内；

自所述基板的下表面形成暴露出所述焊垫的孔洞；

在所述孔洞内形成与所述焊垫电性连接的导电介质；

将所述基板与所述临时基板剥离。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述“在所述孔洞内形成与所述焊垫电性连接的导电介质”步骤具体包括：

在所述孔洞的侧壁及底部上形成绝缘层；

移除所述孔洞底部上的绝缘层以暴露出所述焊垫；

在所述孔洞的侧壁及底部上形成与所述焊垫电性连接的导电介质。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，该方法还包括：

在所述基板的下表面上形成绝缘层，并将所述孔洞内的导电介质延伸至下表面部分的绝缘层上；

在所述基板的下表面的导电介质上形成防焊层；

在所述防焊层上形成部分暴露出所述导电介质的开口，并通过所述开口形成与所述导电介质电性连接的焊接凸点或触点阵列。

4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在“将所述基板与所述临时基板剥离”具体包括：切割所述基板和所述临时基板为多个芯片；分别将多个芯片上的所述基板与所述临时基板剥离。

5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述孔洞的靠近所述基板下表面的开口的口径大于所述孔洞的靠近所述基板上表面的开口的口径。

6.一种半导体封装方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

提供一基板，其包括上表面以及与上表面相背的下表面，所述基板上包括感光区，以及与所述感光区电性连接的焊垫；

提供一临时基板，并在所述临时基板上形成阻隔墙，所述阻隔墙与所述临时基板形成一收容空间，所述收容空间至少可容纳所述感光区；

在所述形成的阻隔墙上设置粘合剂，并将所述临时基板制作有阻隔墙的一面贴合在所述基板的上表面上，所述感光区位于所述收容空间内；

自所述基板的下表面形成暴露出所述焊垫的孔洞；

在所述孔洞内形成与所述焊垫电性连接的导电介质；

将所述基板与所述临时基板剥离。

7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述“在所述临时基板上形成阻隔墙”步骤具体包括：在所述临时基板上旋涂一粘着胶，并光刻所述粘着胶形成所述阻隔墙。

8.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述“在所述孔洞内形成与所述焊垫电性连接的导电介质”步骤具体包括：

在所述孔洞的侧壁及底部上形成绝缘层；

移除所述孔洞底部上的绝缘层以暴露出所述焊垫；

在所述孔洞的侧壁及底部上形成与所述焊垫电性连接的导电介质。

9.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，该方法还包括：

在所述基板的下表面上形成绝缘层，并将所述孔洞内的导电介质延伸至下表面部分的绝缘层上；

在所述基板的下表面的导电介质上形成防焊层；

在所述防焊层上形成部分暴露出所述导电介质的开口，并通过所述开口形成与所述导电介质电性连接的焊接凸点或触点阵列。

10.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，在“将所述基板与所述临时基板剥离”具体包括：切割所述基板和所述临时基板为多个芯片；分别将多个芯片上的所述基板与所述临时基板剥离。

11.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述孔洞的靠近所述基板下表面的开口的口径大于所述孔洞的靠近所述基板上表面的开口的口径。