[发明专利]芯片封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片封装结构及其制造方法，尤其涉及一种利用复合式软性薄膜结构形成的芯片封装结构。

背景技术

现有的发光二极管(light-emitting diode，简称LED)芯片的封装方法是将发光二极管芯片黏着在导线架(lead frame)上，利用打线接合(wire bonding)的方式让芯片上的电极与导线架上的接点(contact)产生电性连接，然后利用点胶的方式在发光二极管芯片上涂布荧光粉。

然而，以点胶方式进行荧光粉的涂布时，容易因为荧光粉沉淀而产生硅胶与荧光粉分离脱层的现象，并且在进行荧光粉胶体的烘烤时也容易造成荧光粉沉降，无法准确地控制荧光粉的分布位置，导致传统的发光二极管芯片的封装制程的良率降低。

此外，利用打线接合的方式电性连接芯片上的电极与导线架上的接点，其导线容易受到应力作用而断线，使得传统的发光二极管芯片的封装结构的信赖性不佳。

发明内容

本发明的实施例提供芯片封装结构及其制造方法，其可以克服上述的问题，利用复合式软性薄膜结构形成芯片封装结构，芯片的电极与基板的接点之间不需打线，而是利用软性图案化薄膜电路层产生电性连接，因此无断线问题。

此外，复合式软性薄膜结构中的软性荧光粉薄膜层可以控制荧光粉的分布与含量，提高发光二极管芯片的封装制程的良率。另外，复合式软性薄膜结构中的软性透光导热绝缘层还可以增加芯片的散热路径，而软性透光隔热层则可以降低热传导至荧光粉，延长荧光粉的寿命。

依据本发明的实施例，芯片封装结构包括：芯片设置于基板上，其中芯片具有至少一电极设置于芯片的顶部表面上；软性透光导热绝缘层顺应性地覆盖于芯片和基板上，且暴露出芯片的电极；以及软性图案化薄膜电路层顺应性地设置于透光导热绝缘层上，且软性图案化薄膜电路层与芯片的电极接触。

依据本发明的实施例，芯片封装结构的制造方法包括：形成复合式软性薄膜结构，此复合式软性薄膜结构的形成步骤包括：提供载板，形成软性透光导热绝缘层于载板上，其中软性透光导热绝缘层具有至少一开口，形成软性图案化薄膜电路层于软性透光导热绝缘层上，且填平软性透光导热绝缘层的开口，以及将复合式软性薄膜结构从载板上剥离；提供固着于基板上的芯片，其中芯片具有至少一电极形成于芯片的顶部表面上；以及贴附复合式软性薄膜结构于芯片上，其中软性透光导热绝缘层面对芯片，而填平软性透光导热绝缘层的开口的软性图案化薄膜电路层接触芯片的电极。

为了让本发明的上述目的、特征、及优点能更明显易懂，以下配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A至1C显示依据本发明的一实施例，形成芯片封装结构的各阶段的剖面示意图，其中芯片为具平台结构的发光二极管芯片。

图2A至2C显示依据本发明的一实施例，形成芯片封装结构的各阶段的剖面示意图，其中芯片为垂直式发光二极管芯片。

附图标记：

100：载板；

102：软性透光导热绝缘层；

104：软性图案化薄膜电路层；

104A、104B、104C、104D：接触部；

106：软性透光隔热层；

108：软性荧光粉薄膜层；

200：复合式软性薄膜结构；

300：基板；

302：芯片；

304、306：电极；

308：基板孔洞；

400：贴附制程；

402：真空吸着；

500：芯片封装结构。

具体实施方式

图1A至1C显示依据本发明的一实施例，形成芯片封装结构500的各阶段的剖面示意图，在此实施例中，芯片为发光二极管芯片，因此芯片封装结构500需要有荧光粉层形成在芯片上。

参阅图1A，首先提供载板100，例如为塑料基板或金属基板，在载板100上依序形成软性透光导热绝缘层102、软性图案化薄膜电路层104、软性透光隔热层106以及软性荧光粉薄膜层108，这四层薄膜组成复合式软性薄膜结构200，这四层薄膜的材料及形成方法如下所述。