[发明专利]芯片封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210064661.1 申请日: 2012-03-13
公开(公告)号: CN103208585A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 邱冠谕 申请(专利权)人: 隆达电子股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/50;H01L33/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构,包括:

一芯片,设置于一基板上,其中该芯片具有至少一电极设置于该芯片的一顶部表面上;

一软性透光导热绝缘层,顺应性地覆盖于该芯片和该基板上,且暴露出该芯片的该电极;以及

一软性图案化薄膜电路层,顺应性地设置于该透光导热绝缘层上,且该软性图案化薄膜电路层与该芯片的该电极接触。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其中该芯片包括发光二极管芯片或齐纳二极管芯片。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其中该芯片为发光二极管芯片,且该芯片封装结构还包括:

一软性透光隔热层,顺应性地覆盖于该软性图案化薄膜电路层上;以及

一软性荧光粉薄膜层,顺应性地覆盖于该软性透光隔热层上。

4.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其中该发光二极管芯片包括一具平台结构的发光二极管芯片,具有两个电性相反的电极设置于该芯片的该顶部表面上,且该两个电极分别与该软性图案化薄膜电路层接触。

5.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其中该发光二极管芯片包括一垂直式发光二极管芯片,仅具有该电极设置在该芯片的该顶部表面上。

6.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其中该软性透光隔热层的材料包括透明高分子材料。

7.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其中该软性荧光粉薄膜层包括单层或多层结构。

8.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其中该软性透光导热绝缘层的材料包括氧化铝粉、氮化铝粉或碳化硅粉分散于透明高分子材料中。

9.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其中该软性图案化薄膜电路层的材料包括金属。

10.一种芯片封装结构的制造方法,包括:

形成一复合式软性薄膜结构,该复合式软性薄膜结构的形成步骤包括:

提供一载板;

形成一软性透光导热绝缘层于该载板上,其中该软性透光导热绝缘层具有至少一开口;

形成一软性图案化薄膜电路层于该软性透光导热绝缘层上,且

填平该软性透光导热绝缘层的该开口;以及

将该复合式软性薄膜结构从该载板上剥离;

提供固着于一基板上的一芯片,其中该芯片具有至少一电极形成于该芯片的一顶部表面上;以及

贴附该复合式软性薄膜结构于该芯片上,其中该软性透光导热绝缘层面对该芯片,而填平该软性透光导热绝缘层的该开口的该软性图案化薄膜电路层接触该电极。

11.根据权利要求10所述的芯片封装结构的制造方法,其中该贴附步骤包括利用真空吸着或使用黏着剂。

12.根据权利要求10所述的芯片封装结构的制造方法,其中该软性透光导热绝缘层的材料包括氧化铝粉、氮化铝粉或碳化硅粉分散于透明高分子材料中,且形成该软性透光导热绝缘层的步骤包括涂布制程。

13.根据权利要求10所述的芯片封装结构的制造方法,其中该软性图案化薄膜电路层的材料包括金属,且形成该软图案化薄膜电路层的步骤包括沉积、微影与蚀刻制程或者印刷制程。

14.根据权利要求10所述的芯片封装结构的制造方法,其中还包括在该载板上对该软性透光导热绝缘层蚀刻出该开口。

15.根据权利要求10所述的芯片封装结构的制造方法,其中该芯片包括发光二极管芯片或齐纳二极管芯片。

16.根据权利要求15所述的芯片封装结构的制造方法,其中该芯片为发光二极管芯片,且该复合式软性薄膜结构的形成步骤还包括:

在该载板上形成一软性透光隔热层于该软性图案化薄膜电路层上;

在该载板上形成一软性荧光粉薄膜层于该软性透光隔热层上;以及

将该软性透光导热绝缘层、该软性图案化薄膜电路层、该软性透光隔热层和该软性荧光粉薄膜层所组成的该复合式软性薄膜结构从该载板上剥离,再贴附于该芯片上。

17.根据权利要求16所述的芯片封装结构的制造方法,其中该贴附步骤包括利用真空吸着或使用黏着剂。

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