[发明专利]具有本征半导体层的晶片

权利要求书

1.一种用于制造晶片的方法，该方法包括以下步骤：

在半导体衬底上提供掺杂层；

在所述掺杂层上提供第一半导体层；

在所述第一半导体层上提供掩埋氧化物层；以及

在所述掩埋氧化物层上提供第二半导体层。

2.根据权利要求1所述的用于制造晶片的方法，其中所述掩埋层和所述第一半导体层生长在所述半导体衬底上。

3.根据权利要求1或2所述的用于制造晶片的方法，其中通过所述掩埋氧化物层键合所述第一半导体层和所述第二半导体层并分离所述施主衬底从而获得所述晶片。

4.根据前述任意一项权利要求所述的用于制造晶片的方法，其中所述掩埋氧化物形成在所述第一半导体层上或所述施主衬底上。

5.根据前述任意一项权利要求所述的用于制造晶片的方法，其中所述第二半导体层生长在所述施主衬底上。

6.根据前述任意一项权利要求所述的用于制造晶片的方法，其中

所述掺杂层是生长在所述半导体衬底上的外延掺杂层；

和/或所述第一半导体层是生长在所述掺杂层上的外延层；

和/或其中在所述掩埋氧化物层上形成所述第二半导体层包括：

在施主衬底上生长所述第二半导体层从而获得施主晶片；

和/或在所述施主衬底上生长的所述第二半导体层上形成第一氧化物层；和/或

在所述掺杂层上生长的外延第一半导体层上形成第二氧化物层；以及

通过第一中间掩埋层和/或第二中间掩埋层将所述施主晶片键合到在所述掺杂层上生长的所述第一半导体层，其中所述第一氧化物层和/或所述第二氧化物层形成所述掩埋氧化物层，以及

分离所述施主衬底。

7.根据前述任意一项权利要求所述的用于制造晶片的方法，进一步包括通过n或p掺杂物掺杂所述第一半导体层的至少一个区域。

8.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

提供通过根据前述任意一项权利要求所述的方法获得的晶片；

在所述晶片的第一区域中形成嵌入式DRAM器件；以及

在与所述第一区域不同的晶片的第二区域中形成背偏置晶体管。

9.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，其中：

在所述晶片的所述第一区域中形成嵌入式DRAM器件包括形成从所述第二半导体层延伸至少部分进入所述掺杂层的电容沟槽；以及

在通过浅沟槽隔离体与所述第一区域分开的所述晶片的所述第二区域中形成背偏置晶体管包括在所述第一半导体层中形成背偏置区。

10.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，其中在所述第一半导体层中形成所述背偏置区包括利用n或p掺杂物来掺杂已经提供的晶片的所述第一半导体层的至少一部分。

11.一种晶片，包括：

半导体衬底；

在该半导体衬底上形成的掺杂层；

在该半导体衬底上形成的第一半导体层；

在该第一半导体层上形成的掩埋氧化物层；以及

在该掩埋氧化物层上形成的第二半导体层。

12.根据权利要求11所述的晶片，其中所述半导体衬底和/或所述第一半导体层和/或所述第二半导体层包括硅或由硅组成。

13.根据权利要求11或12所述的晶片，其中所述掺杂层包括n掺杂物，特别是磷掺杂物。

14.根据权利要求11到13中的任意一项所述的晶片，其中

所述第一半导体层的厚度在10到300nm范围内，特别是50到150nm范围内；和/或

所述第二半导体层的厚度在5到100nm范围内，特别是5到15nm范围内；和/或

所述掩埋氧化物层的厚度在10到200nm范围内，特别是5到25nm范围内；和/或

所述掺杂层的厚度在1到10μm的范围内。