[发明专利]用于增加微电子封装中电触点表面面积的结构有效
| 申请号： | 201210057891.5 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102646655A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 罗珮聪;杨丹;史训清 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张春媛;阎娬斌 |
| 地址： | 香港新*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 增加 微电子 封装 触点 表面 面积 结构 | ||
1.一种包括一个或多个电触点的微电子器件封装，包括：
半导体材料层，其具有在其中制备的一个或多个电器件并具有布置在其中的电接触焊盘；
邻近半导体材料层布置的层，该层包括包埋在该层内或者形成在该层上或者接合至该层的导电材料柱；
贯通半导体材料层的至少一部分以及贯通电接触焊盘并进入导电材料柱中的通孔，该通孔的尖端终止于导电材料柱中；
金属化层，其设置在通孔中，使得金属化层通过通孔尖端接触电接触焊盘以及导电材料柱。
2.根据权利要求1所述的包括一个或多个垂直电触点的多层微电子器件封装，其特征在于导电材料柱包括金属、金属合金或者导电材料复合物。
3.根据权利要求1所述的包括一个或多个垂直电触点的多层微电子器件封装，其特征在于通孔通过激光钻孔形成。
4.根据权利要求1所述的包括一个或多个垂直电触点的多层微电子器件封装，其特征在于通孔通过机械的材料去除形成。
5.根据权利要求1所述的包括一个或多个垂直电触点的多层微电子器件封装，其特征在于半导体材料为硅。
6.根据权利要求1所述的包括一个或多个垂直电触点的多层微电子器件封装，其特征在于CMOS成像器件形成在半导体材料层中。
7.根据权利要求1所述的包括一个或多个垂直电触点的多层微电子器件封装，其特征在于包含柱的层是玻璃层。
8.根据权利要求1所述的包括一个或多个垂直电触点的多层微电子器件封装，其特征在于带有导电材料柱的邻近层形成在半导体材料层上。
9.根据权利要求1所述的包括一个或多个垂直电触点的多层微电子器件封装，其特征在于带有导电材料柱的邻近层接合至半导体层。
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