[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

在第1基板的主表面上形成作为包含光电二极管的有源区域的光电二极管层的步骤；

在所述光电二极管层上，形成包含布线以及覆盖该布线的绝缘层的布线层的步骤；

在所述布线层上形成绝缘膜的步骤；和

以使所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方式将所述第2基板接合到所述第1基板的所述绝缘膜的步骤。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方向为<100>方向。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方向为<110>方向。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成所述光电二极管层的步骤之后，形成所述布线层的步骤之前，在所述光电二极管层形成贯通电极的步骤。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成所述绝缘膜的步骤之后，所述接合步骤之前，

清洁所述第1基板以及所述第2基板的接合面的步骤；和

激活所述接合面的步骤。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述接合步骤之后，进行退火的步骤。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述接合步骤之后，减薄与所述第1基板的主表面相反侧的面的步骤。

8.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述退火步骤之后，减薄与所述第1基板的主表面相反侧的面的步骤。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第1基板是SOI晶片。

10.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第1基板是SOI晶片。

11.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第1基板是SOI晶片。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述减薄步骤将所述SOI晶片所包含的BOX氧化膜作为蚀刻停止层。

13.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第2基板是SOI晶片。

14.一种半导体装置，其特征在于，具备：

基板；

绝缘膜，其形成于所述基板的主表面上；

布线层，其形成于所述绝缘膜上，被绝缘层覆盖；和

光电二极管层，其形成于所述布线层上，与所述基板的晶体取向一致。

15.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

所述光电二极管层还具备贯通电极。

16.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体取向一致的方向为<100>方向。

17.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体取向一致的方向为<100>方向。

18.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体取向一致的方向为<110>方向。

19.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体取向一致的方向为<110>方向。

20.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

在所述光电二极管层上具备反射防止膜、滤色器、微透镜。