[发明专利]可挠性基板及其制作方法与电子元件的封装体的制作方法有效
申请号: | 201210029914.1 | 申请日: | 2012-02-10 |
公开(公告)号: | CN103178215A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 陈光荣;魏小芬;陈良湘;施秉彝 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠性基板 及其 制作方法 电子元件 封装 | ||
1.一种可挠性基板的制作方法,包括:
提供一承载器,该承载器上已形成有一材料层,其中该材料层具有彼此相对的上表面与下表面以及多个凹陷部,而该下表面与该承载器接触,且该些凹陷部由该材料层的该上表面朝向该下表面延伸;
形成一离型层于该材料层的该上表面上,其中该离型层与该材料层共形;
涂布一混合聚合物层于该离型层上,其中该混合聚合物层中具有多个散射粒子;
进行一沉降步骤,以使该混合聚合物层中的该些散射粒子沉降至该混合聚合物层的底部,以与该离型层直接接触;以及
使该混合聚合物层与该承载器分离,而形成一具有多个突出部且部分该些散射粒子暴露于该些突出部之外的可挠性基板。
2.如权利要求1所述的可挠性基板的制作方法,其中该材料层的材质包括高分子材料。
3.如权利要求1所述的可挠性基板的制作方法,其中该材料层的材质包括光致抗蚀剂材料。
4.如权利要求1所述的可挠性基板的制作方法,其中该材料层的材质包括单一金属、金属氧化物、非金属氧化物、非金属氮化物、非金属氮氧化物、陶瓷材料或或上述材料所组成的复合材料。
5.如权利要求1所述的可挠性基板的制作方法,其中该离型层的材质包括聚对二甲苯(Poly-para-xylylene,parylene)。
6.如权利要求1所述的可挠性基板的制作方法,其中该混合聚合物层的材质包括聚亚酰胺(PI)。
7.如权利要求1所述的可挠性基板的制作方法,还包括:
使该混合聚合物层与该承载器分离之前,形成一阻气层于该混合聚合物层上,其中该阻气层是由至少一有机材料层与至少一无机材料层相互堆叠所构成,且该有机材料层的折射率不同于该无机材料层的折射率。
8.如权利要求1所述的可挠性基板的制作方法,还包括:
使该混合聚合物层与该承载器分离之前,形成一阻气层于该混合聚合物层上,其中该阻气层是由至少两个无机材料层相互堆叠所构成,且该些无机材料层的折射率彼此不同。
9.如权利要求1所述的可挠性基板的制作方法,还包括:
使该混合聚合物层与该承载器分离之前,形成一阻气层于该混合聚合物层上,其中该阻气层包括一单层有机-无机的复合材料层、一单层有机层或一单层无机层。
10.如权利要求1所述的可挠性基板的制作方法,其中使该混合聚合物层与该承载器分离的步骤,包括:
进行一掀离步骤,以使该混合聚合物层与该离型层分离,而形成具有该些突出部且部分该些散射粒子暴露于该些突出部之外的该可挠性基板。
11.如权利要求10所述的可挠性基板的制作方法,还包括:
在进行该掀离步骤之后,还包括进行一表面处理步骤,以增加部分该些散射粒子暴露于该些突出部之外的面积。
12.如权利要求1所述的可挠性基板的制作方法,其中使该混合聚合物层与该承载器分离的步骤,包括:
进行一掀离步骤,使该离型层及其上的该混合聚合物层与该材料层分离;以及
在进行该掀离步骤之后,对该离型层进行一表面处理步骤,以暴露出该混合聚合物层中的部分该些散射粒子,而形成具有该些突出部且部分该些散射粒子暴露于该些突出部之外的该可挠性基板。
13.一种环境敏感电子元件的封装体的制作方法,包括:
提供一承载器,该承载器上已形成有一材料层,其中该材料层具有彼此相对的上表面与下表面以及多个凹陷部,而该下表面与该承载器接触,且该些凹陷部由该材料层的该上表面朝向该下表面延伸;
形成一离型层于该材料层的该上表面上,其中该离型层与该材料层共形;
涂布一混合聚合物层于该离型层上,其中该混合聚合物层中具有多个散射粒子;
进行一沉降步骤,以使该混合聚合物层中的该些散射粒子沉降至该混合聚合物层的底部,以与该离型层直接接触;
形成一环境敏感电子元件于该混合聚合物层上;以及
使该混合聚合物层及其上的该环境敏感电子元件与该承载器分离,而形成一具有多个突出部且部分该些散射粒子暴露于该些突出部之外的环境敏感电子元件的封装体。
14.如权利要求13所述的可挠性基板的制作方法,其中该材料层的材质包括高分子材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择