[发明专利]画素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种画素结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在该基板上形成一薄膜晶体管；

在该基板上形成一绝缘层，以覆盖该基板以及该薄膜晶体管；

利用一半调式光罩图案化该绝缘层，以形成一凸起图案、与该凸起图案连接的一凹陷图案以及位于该凹陷图案中的一开口，其中该凸起图案的厚度大于该凹陷图案的厚度，该开口贯穿该凹陷图案而曝露出该薄膜晶体管的一汲极；

在该基板上形成一透光导电层，以覆盖该凸起图案、该凹陷图案并填入该开口；

形成一平坦层，以覆盖该透光导电层；以及

移除位于该凸起图案上的部分该平坦层、部份该透光导电层以及该开口中的部分平坦层，而使该透光导电层形成一画素电极图案。

2.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，移除位于该凸起图案上的部分该平坦层以及部份该透光导电层，而使该透光导电层形成该画素电极图案的步骤包括：

移除位于该凸起图案上的部分该平坦层，以曝露出部分透光导电层；以及

移除被该平坦层曝露出的该部分透光导电层，而形成该画素电极图案。

3.根据权利要求2所述的画素结构的制作方法，其特征在于，移除位于该凸起图案上的部分该平坦层，以曝露出部分透光导电层的步骤包括：对该平坦层进行一灰化制程。

4.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于：在该基板上形成该绝缘层以覆盖该基板以及该薄膜晶体管的步骤包括：

在该基板上形成该绝缘层以全面性地覆盖该基板以及该薄膜晶体管。

5.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于：该绝缘层具有相对的一第一表面与一第二表面，该绝缘层的该第一表面与该薄膜晶体管接触，而该绝缘层的该第二表面实质上为与该基板平行的一平面。

6.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该绝缘层的材质包括：一有机光阻。

7.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于：该凸起图案覆盖该薄膜晶体管的一通道层，而该凹陷图案覆盖该薄膜晶体管的一汲极且未覆盖该薄膜晶体管的该通道层。

8.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于：在该基板上形成该透光导电层以覆盖该凸起图案、该凹陷图案并填入该开口的步骤包括：

在该基板上形成该透光导电层以全面性覆盖该凸起图案、该凹陷图案以及该开口。

9.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于：形成该平坦层以覆盖该透光导电层的步骤包括：

形成该平坦层以全面性覆盖该透光导电层。

10.根据权利要求9所述的画素结构的制作方法，其特征在于：该平坦层具有相对的第一表面以及一第二表面，该平坦层的该第一表面与该透光导电层接触，而该平坦层的该第二表面实质上为与该基板平行的一平面。

11.一种画素结构，其特征在于，包括：

一基板；

一薄膜晶体管，配置在该基板上；

一绝缘层，覆盖该薄膜晶体管，该绝缘层包括：

一凸起图案；以及

一凹陷图案，与该凸起图案连接，其中该凸起图案的厚度大于该凹陷图案的厚度，且该凹陷图案具有一开口，该开口曝露出该薄膜晶体管的一汲极；以及

一画素电极图案，配置在该绝缘层上且填入该开口中，而与该薄膜晶体管的该汲极电性连接。

12.根据权利要求11所述的画素结构，其特征在于：该画素电极图案覆盖该凹陷图案而未覆盖该凸起图案。

13.根据权利要求11所述的画素结构，其特征在于：该画素电极图案在该基板上的正投影与该凹陷图案在该基板上的正投影实质上重合。

14.根据权利要求11所述的画素结构，其特征在于：该凸起图案覆盖该薄膜晶体管的一通道层，而该凹陷图案覆盖该薄膜晶体管的一汲极且未覆盖该薄膜晶体管的该通道层。

15.根据权利要求11所述的画素结构，其特征在于，更包括：彼此交错的一资料线与一扫描线，其中该资料线与该薄膜晶体管的一源极电性连接，而该扫描线与该薄膜晶体管的一闸极电性连接。

16.根据权利要求15所述的画素结构，其特征在于：该该凸起图案覆盖该薄膜晶体管的一通道层、该资料线以及该扫描线。