[发明专利]一种新型栅极图形尺寸收缩方法有效
| 申请号： | 201210014989.2 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102543712A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨渝书;李程;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;G03F7/40 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 栅极 图形 尺寸 收缩 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型栅极图形尺寸收缩方法，其特征在于：其具有以下步骤：
1）将晶圆置于加热板上，上方设有紫外光源；
2）使用紫外光对晶圆进行均匀照射；
3）至光阻表面交联固化完成时，加热板进行加热；
4）反应完成后，去掉紫外光，并进行常温冷却；
5）进行光阻特征尺寸的量测。
2.如权利要求1所述的一种新型栅极图形尺寸收缩方法，其特征在于：所述步骤（2）中使用的紫外光波长范围为100nm~400nm。
3.如权利要求1所述的一种新型栅极图形尺寸收缩方法，其特征在于：所述步骤（2）中使用的紫外光光强10~100mW/cm2。
4.如权利要求1所述的一种新型栅极图形尺寸收缩方法，其特征在于：所述步骤（3）中加热板加热的温度范围为40～110℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
