[发明专利]用于半导体存储器的可编程保持器

权利要求书

1.一种方法，包括：

接收存储器编码，所述存储器编码标识将要存储在半导体存储器中的逻辑0和逻辑1的数量；

通过所述存储器编码确定将要连接至所述半导体存储器的第一位线的第一类型的位单元的数量；

基于将要连接至所述第一位线的所述第一类型的位单元的数量，从多个保持器电路中选择第一保持器电路；以及

将所述半导体存储器的布局的电子表示存储在非易失性机器可读存储介质中。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

通过所述存储器编码确定将要连接至所述半导体存储器的第二位线的所述第一类型的位单元的数量；以及

基于将要连接至所述第二位线的所述第一类型的位单元的数量，从多个保持器电路中选择第二保持器电路，其中，所述第二保持器电路与所述第一保持器电路不同，并且

其中，所述第一类型的位单元为被编程为在读操作期间输出逻辑0的位单元，将要连接至所述第一位线的所述第一类型的位单元的数量大于将要连接至所述第二位线的所述第一类型的位单元的数量，并且，将要连接至所述第一位线的保持器的尺寸小于将要连接至所述第二位线的保持器的尺寸。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

通过所述存储器编码确定将要连接至所述半导体存储器的多条位线中的每一条的所述第一类型的位单元的数量；以及

基于将要连接至每条相应的所述位线的所述第一类型的位单元的数量选择所述多条位线中的每一条的保持器电路，其中，选择至少两种不同类型的保持器电路。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

基于所述布局制造所述半导体存储器的掩模；以及

使用所述掩模制造所述半导体存储器。

5.一种半导体存储器，包括：

第一位线和第二位线；

第一数量的第一类型的位单元，连接至所述第一位线；

第一保持器电路，连接至所述第一位线，基于所述第一类型的位单元的所述第一数量，所述第一保持器电路具有第一尺寸；

第二数量的所述第一类型的位单元，连接至所述第二位线；以及

第二保持器电路，连接至所述第二位线，基于所述第一类型的位单元的所述第二数量，所述第二保持器电路具有第二尺寸，

其中，所述第一尺寸与所述第二尺寸不同。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器，进一步包括：第二数量的第二类型的位单元，连接至所述第一位线。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器，其中，所述第一类型的位单元被配置为在读操作期间输出逻辑0，所述第二类型的位单元被配置为在读操作期间输出逻辑1。

8.根据权利要求6所述的半导体存储器，其中，所述第一类型的位单元被配置为在读操作期间输出逻辑1，所述第二类型的位单元被配置为在读操作期间输出逻辑0。

9.一种通过程序编码进行编码的非临时性机器可读存储介质，其中，当通过处理器执行所述程序编码时，所述处理器实施一种方法，所述方法包括：

接收存储器编码，所述存储器编码标识将要存储在半导体存储器中的逻辑0和逻辑1的数量；

通过所述存储器编码确定将要连接至所述半导体存储器的第一位线的第一类型的位单元的数量；以及

基于将要连接至所述第一位线的所述第一类型的位单元的数量，从多个保持器电路中选择第一保持器电路。

10.根据权利要求9所述的非临时性机器可读存储介质，其中，所述方法包括：

通过所述存储器编码确定将要连接至所述半导体存储器的第二位线的所述第一类型的位单元的数量；以及

基于将要连接至所述第二位线的所述第一类型的位单元的数量，从多个保持器电路中选择第二保持器电路，并且

其中，所述第一类型的位单元为被编程为在读操作期间输出逻辑0的位单元，将要连接至所述第一位线的所述第一类型的位单元的数量大于将要连接至所述第二位线的所述第一类型的位单元的数量，将要连接至所述第一位线的保持器的尺寸小于将要连接至所述第二位线的保持器的尺寸。