[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

在所述衬底上彼此相邻的多个像素电极；

在所述衬底上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：第一沟道形成区域和第二沟道形成区域；

在所述薄膜晶体管上的绝缘层；以及

在所述绝缘层上且在所述多个像素电极之间的电源供给线，

其中，所述电源供给线与所述第一沟道形成区域和所述第二沟道形成区域重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一沟道形成区域的沟道宽度长于所述第一沟道形成区域的沟道长度，并且

所述第二沟道形成区域的沟道宽度长于所述第二沟道形成区域的沟道长度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一沟道形成区域和所述第二沟道形成区域中的每一个包含非晶半导体及多晶半导体中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述薄膜晶体管的源端子及漏端子中的一个电连接到所述多个像素电极之一，并且

所述薄膜晶体管的所述源端子及所述漏端子中的另一个电连接到所述电源供给线。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一沟道形成区域的沟道宽度方向垂直于所述第一沟道形成区域的沟道长度方向，电流在所述第一沟道形成区域的所述沟道长度方向上流过所述第一沟道形成区域；

所述第一沟道形成区域的所述沟道宽度方向平行于所述电源供给线的与所述第一沟道形成区域重叠的区域的长边方向；

所述第二沟道形成区域的沟道宽度方向垂直于所述第二沟道形成区域的沟道长度方向，电流在所述第二沟道形成区域的所述沟道长度方向上流过所述第二沟道形成区域；并且

所述第二沟道形成区域的所述沟道宽度方向平行于所述电源供给线的与所述第二沟道形成区域重叠的区域的长边方向。

6.一种半导体装置，包括：

衬底；

在所述衬底上彼此相邻的第一像素和第二像素，所述第一像素和第二像素中的每一个包括：第一像素电极、在所述第一像素电极上的发光层、以及在所述发光层上的第二像素电极；

在所述衬底上的薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管上的绝缘层；以及

在所述绝缘层上且在所述第一像素的所述第一像素电极与所述第二像素的所述第一像素电极之间的电源供给线，

其中，

所述电源供给线与所述薄膜晶体管的沟道形成区域重叠，并且

所述发光层与所述第一像素的所述第二像素电极在所述薄膜晶体管上延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述沟道形成区域的沟道宽度长于所述沟道形成区域的沟道长度。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述沟道形成区域包含非晶半导体及多晶半导体中的至少一种。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述薄膜晶体管的源端子及漏端子中的一个电连接到所述第一像素的所述第一像素电极和所述第二像素的所述第一像素电极之一，并且

所述薄膜晶体管的所述源端子及所述漏端子中的另一个电连接到所述电源供给线。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述沟道形成区域的沟道宽度方向垂直于所述沟道形成区域的沟道长度方向，电流在所述沟道形成区域的沟道长度方向上流过所述沟道形成区域；并且

所述沟道形成区域的所述沟道宽度方向平行于所述电源供给线的与所述沟道形成区域重叠的区域的长边方向。

11.一种半导体装置，包括：

衬底；

在所述衬底上彼此相邻的多个元件；

在所述衬底上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：第一沟道形成区域和第二沟道形成区域；

在所述薄膜晶体管上的绝缘层；

在所述绝缘层上且在所述多个元件之间的布线；以及

跨过上述布线的栅布线，

其中，所述布线与所述第一沟道形成区域和所述第二沟道形成区域重叠。