[发明专利]半导体用粘合剂组合物、含其的粘合剂膜和使用其的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体装置用粘合剂组合物，包含至少一种由以下化学式1至3表示的助焊活性固化剂：

[化学式1]

其中，A表示含有酸酐部分并包含0至3个双键的C4至C8环结构；B表示具有C4至C8环结构的脂环部分、不饱和脂环部分或芳香部分；R¹选自由氢原子、C1至C6烷基、C6至C12芳基、C6至C12取代的芳基、乙烯基和烯丙基组成的组；且n为0至2的整数，

[化学式2]

其中，C表示含有酸酐部分并包含0至3个双键的C4至C8环结构；D表示具有C4至C8环结构的脂环部分、不饱和脂环部分或芳香部分；R²选自由氢原子、C1至C6烷基、C6至C12芳基、C6至C12取代的芳基、乙烯基和烯丙基组成的组；且n为1至4的整数，

[化学式3]

其中，E表示含有酸酐部分并包含0至3个双键的C4至C8环结构；F表示具有C4至C8环结构的脂环部分、不饱和脂环部分或芳香部分；R³选自由氢原子、C1至C6烷基、C6至C12芳基、C6至C12取代的芳基、乙烯基和烯丙基组成的组；R⁴选自由以下化学式（i）至（viii）表示的化合物；且n为1至4的整数，

2.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，所述助焊活性固化剂相对于粘合剂组合物的总量以0.1wt%至10wt%的量存在。

3.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，所述助焊活性固化剂具有约100℃至约300℃的熔点。

4.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，所述组合物在260℃具有约2×10⁴泊至约15×10⁴泊的熔体粘度。

5.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，所述组合物具有接合后约10度至约80度的焊料与金属隆起的接触角。

6.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，所述组合物包含约0.1wt%至约5wt%的咪唑类固化催化剂。

7.根据权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，所述组合物包含聚合物树脂、环氧树脂、至少一种由化学式1至3表示的助焊活性固化剂、填料和固化催化剂。

8.根据权利要求7所述的粘合剂组合物，其中，所述组合物基于固含量包含约20wt%至60wt%的所述聚合物树脂、约10wt%至60wt%的所述环氧树脂、约0.1wt%至10wt%的所述助焊活性固化剂、约0.01wt%至5wt%的所述固化催化剂和约15wt%至40wt%的所述填料。

9.根据权利要求8所述的粘合剂组合物，其中，所述聚合物树脂包含环氧基团并具有约﹣30℃至80℃的玻璃化转变温度。

10.根据权利要求8所述的粘合剂组合物，其中，所述组合物进一步包含约0.01wt%至10wt%的硅烷偶联剂。

11.一种半导体装置用粘合剂膜，包含权利要求1至10的任一项所述的粘合剂组合物。

12.如权利要求11所述的粘合剂膜，其中，所述粘合剂膜在金属隆起和焊料之间形成金属间化合物层，所述金属间化合物层在接合后具有相对于接合面积约70%或更大的面积。

13.如权利要求11所述的粘合剂膜，其中，所述粘合剂膜在Cu和焊料之间形成金属间化合物层，所述金属间化合物层在接合后具有相对于接合面积约70%或更大的面积。

14.一种将第一隆起的半导体芯片与第二隆起的半导体芯片彼此粘结的方法，使用由根据权利要求1至10的任一项所述的粘合剂组合物形成的粘合剂膜。

15.一种半导体封装，包括：

芯片安装基板；和

在所述芯片安装基板的一个表面上堆叠的第一半导体芯片和第二半导体芯片，使用根据权利要求11所述的粘合剂膜将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片彼此粘结。