[发明专利]化合物半导体薄膜制作用油墨、使用该油墨获得的化合物半导体薄膜、具备该化合物半导体薄膜的太阳能电池及该太阳能电池的制造方法有效

专利信息
申请号: 201180039712.9 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN103069572A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 张毅闻;山田明 申请(专利权)人: 凸版印刷株式会社
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L21/368
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 白丽;陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 化合物 半导体 薄膜 制作 油墨 使用 获得 具备 太阳能电池 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种化合物半导体薄膜形成用油墨,其特征在于,其是使含有含S原子或Se原子的化合物的粘合剂和金属化合物粒子分散在有机溶剂中而成的。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体薄膜形成用油墨,其特征在于,所述含S原子或Se原子的化合物用下述化学式表示,

式中,X表示S原子或Se原子,R1、R2、R3及R4各自独立地表示氢原子或者碳数为1~10的烷基或芳基。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体薄膜形成用油墨,其特征在于,所述金属化合物粒子的平均粒径为1nm以上且200nm以下。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体薄膜形成用油墨,其特征在于,所述金属化合物粒子含有至少1个VIB族元素。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体薄膜形成用油墨,其特征在于,所述金属化合物粒子为选自CuInxGa1-xSe2粒子、AgInxGa1-xSe2粒子、CuInxGa1-x(SeyS1-y2粒子、Cu2ZnSn(SxSe1-x4粒子及CuAl(SexS1-x2粒子中的1种,

其中,CuInxGa1-xSe2中的x满足0≤x≤1,AgInxGa1-xSe2中的x满足0≤x≤1,CuInxGa1-x(SeyS1-y2中的x满足0≤x≤1、y满足0≤y≤1,Cu2ZnSn(SxSe1-x4中的x满足0≤x≤1,CuAl(SexS1-x2中的x满足0≤x≤1。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体薄膜形成用油墨,其特征在于,所述金属化合物粒子为选自Cu2-xSe1-ySy粒子、(InxGa1-x2(Se1-ySy3粒子及InxGa1-xSe1-ySy粒子中的至少1种,

其中,Cu2-xSe1-ySy中的x满足0≤x≤1、y满足0≤y≤1,(InxGa1-x2(Se1-ySy3中的x满足0≤x≤1、y满足0≤y≤1,InxGa1-xSe1-ySy中的x满足0≤x≤1、y满足0≤y≤1。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体薄膜形成用油墨,其特征在于,所述金属化合物粒子为Cu2-xSe粒子和In2(SexS1-x3粒子的混合物,

其中,Cu2-xSe中的x满足0≤x≤1,In2(SexS1-x)3中的x满足0≤x≤1。

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