[发明专利]使用脉冲的UV光源来涂覆晶片背面的方法无效

专利信息
申请号: 201180028123.0 申请日: 2011-06-03
公开(公告)号: CN103003936A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: J·加萨;D·N·潘;J·利昂;S·哈杰拉;孔勝前 申请(专利权)人: 汉高公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张海涛;于辉
地址: 美国康*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 使用 脉冲 uv 光源 来涂覆 晶片 背面 方法
【权利要求书】:

1.一种用涂料组合物涂覆半导体晶片的方法,其包括:

(A)提供涂料组合物

(B)将该涂料组合物置于半导体晶片上;和

(C)通过将该组合物曝露于足以固化该涂料组合物的量的脉冲的UV光,来对该涂料组合物进行B-阶段固化。

2.根据权利要求1的方法,其中将该涂料组合物曝露于总共0.1-10J/cm2

3.根据权利要求1的方法,其中该脉冲的UV光源在位于从晶片到灯泡12-38cm的距离处使用,并且使用15-300秒。

4.根据权利要求1的方法,其中该半导体晶片的厚度是100μm或者更低。

5.权利要求1的方法,其中该涂料组合物包含能够热固化的树脂和能够通过自由基聚合来固化的树脂。

6.权利要求5的方法,其中该能够热固化的树脂是环氧树脂,并且该能够通过自由基聚合来固化的树脂是丙烯酸酯树脂。

7.权利要求1的方法,其中该涂料组合物包含(i)熔点为80-130℃的固体环氧树脂,和(ii)具有下面的结构的聚合物硫醇侧基的聚硅氧烷

其中n是5-500的整数,和m是1-5的整数。

8.使用权利要求1的方法涂覆的半导体晶片。

9.使用权利要求1的方法涂覆的半导体晶片,其中该涂料组合物包含(i)熔点为80-130℃的固体环氧树脂,和(ii)粘度小于50mPas和沸点大于150℃的丙烯酸酯树脂。

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