[发明专利]具有共享资源的工艺腔室及其使用方法

说明书

技术领域

本发明的实施例一般地涉及基板处理系统。

背景技术

为帮助提高半导体产品的制造速度，可以在处理系统内同时制造多个基板。传统的处理系统可被配置成，包括耦合到传递腔室的两个或两个以上工艺腔室的丛集工具。每个工艺腔室经由资源供应器被供给有一些处理资源，以便于在该工艺腔室内进行特定工艺。一个这样的处理资源是传热流体，该传热流体由传热流体供应器提供，以便于控制工艺腔室的一个或多个零件的温度。通常，处理系统中的每个工艺腔室具有分别耦合到工艺腔室的传热流体供应器。每个传热流体供应器包括储液槽，该储液槽被维持在期望的温度。然而，使传热流体供应器的每个储液槽内的传热流体维持在期望的温度需要大量能量，导致系统成本高昂且效率低下。

因此，发明人提供了具有共享资源的工艺腔室及其使用方法，以提高基板的制造效率并且降低处理系统成本。

发明内容

本发明提供了具有共享资源的工艺腔室及其使用方法。在一些实施例中，基板处理系统可以包括第一工艺腔室，该第一工艺腔室具有布置在第一工艺腔室中的第一基板支撑件，其中第一基板支撑件具有第一加热器和第一冷却板，以使得传热流体循环通过第一冷却板，从而控制第一基板支撑件的温度；第二工艺腔室，该第二工艺腔室具有布置在第二工艺腔室内的第二基板支撑件，其中第二基板支撑件具有第二加热器和第二冷却板，以控制第二基板支撑件的温度；以及共同传热流体源，该传热流体源具有出口以将传热流体提供至第一冷却板和第二冷却板，并且该传热流体源具有入口，以接收来自第一冷却板和第二冷却板的传热流体

在一些实施例中，在具有共享处理资源的双腔室处理系统中处理基板的方法包括以下步骤：利用布置在第一基板支撑件中的第一加热器，将布置在双腔室处理系统的第一工艺腔室中的第一基板支撑件上的第一基板加热到第一温度，并且通过使传热流体流过布置在第一基板支撑件中的第一冷却板来维持第一基板的第一温度；利用布置在第二基板支撑件中的第二加热器，将布置在双腔室处理系统的第二工艺腔室中的第二基板支撑件上的第二基板加热到第一温度，并且通过使传热流体流过布置在第二基板支撑件中的第二冷却板来维持第二基板的第一温度，其中传热流体由共享传热流体源供应到第一和第二冷却板；以及当在第一工艺腔室和第二工艺腔室的各个中的各基板达到第一温度时，在第一和第二基板上进行第一工艺。

在一些实施例中，在具有共享处理资源的双腔室处理系统中处理基板的方法包括以下步骤：通过使来自传热流体源的传热流体流过第一基板支撑件，来将布置在双腔室处理系统的第一工艺腔室中的第一基板支撑件上的第一基板维持在第一温度；通过使来自传热流体源的传热流体流过第二基板支撑件，来将布置在双腔室处理系统的第二工艺腔室中的第二基板支撑件上的第二基板维持在第一温度，其中传热流体源并联地耦合到第一和第二基板支撑件；以及当在第一工艺腔室和第二工艺腔室的各个中的各基板达到第一温度时，在第一和第二基板上进行第一工艺。

下文将描述本发明的其他的和另外的实施例。

附图说明

可通过参考附图中所示的本发明的说明性实施例，来理解在上文简要概述并且将在下文更加详细地描述的本发明的实施例。然而，应该注意，附图仅图示了本发明的典型实施例，并且因此这些实施例不认为是本发明的范围的限制，这是因为本发明容许其他等效的实施例。

图1描绘了根据本发明一些实施例、适合与具有共享资源的一个或多个工艺腔室一起使用的示例性处理系统。

图2描绘了根据本发明一些实施例、适合与共享资源一起使用的两个示例性工艺腔室。

图3是根据本发明一些实施例的处理基板的方法。

为了便于理解，已经尽可能地使用相同的附图标记来标识附图所共用的相同元件。附图未按尺寸绘制并且为了清晰起见而被简化。可以设想，一个实施例的元件和特征可有利地结合在其他实施例中，而不需要额外陈述。

具体实施方式

本文提供了具有共享资源的工艺腔室及其使用方法。本发明的方法和设备有利地将共享资源(如共享传热流体供应器)同时提供至处理系统内的多个工艺腔室，从而提高处理系统的效率并且降低操作成本。