[发明专利]具有共享资源的工艺腔室及其使用方法

权利要求书

1.一种基板处理系统，所述基板处理系统包括：

第一工艺腔室，所述第一工艺腔室具有第一基板支撑件，所述第一基板支撑件布置在所述第一工艺腔室内，其中所述第一基板支撑件具有一个或多个通道供传热流体循环，以控制所述第一基板支撑件的温度；

第二工艺腔室，所述第二工艺腔室具有第二基板支撑件，所述第二基板支撑件布置在所述第二工艺腔室内，其中所述第二基板支撑件具有一个或多个通道供所述传热流体循环，以控制所述第二基板支撑件的温度；以及

共享传热流体源，所述共享传热流体源具有出口，以将所述传热流体提供至所述第一基板支撑件和所述第二基板支撑件各自的所述一个或多个通道，并且所述共享传热流体源具有入口，以接收来自所述第一基板支撑件和所述第二基板支撑件的所述传热流体。

2.如权利要求1所述的基板处理系统，还包括：

第一夹持电极，所述第一夹持电极布置在所述第一工艺腔室的所述第一基板支撑件中，以将基板静电地耦合到所述第一基板支撑件；以及

第二夹持电极，所述第二夹持电极布置在所述第二工艺腔室的所述第二基板支撑件中，以将基板静电地耦合到所述第二基板支撑件。

3.如权利要求1所述的基板处理系统，还包括：

第一射频电极，所述第一射频电极布置在所述第一基板支撑件中且配置以接收来自射频源的射频功率；及

第二射频电极，所述第二射频电极布置在所述第二基板支撑件中并且被配置为接收来自射频源的射频功率。

4.如权利要求1所述的基板处理系统，还包括：

共享气体面板，所述共享气体面板用于将工艺气体提供至所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室。

5.如权利要求1所述的基板处理系统，还包括：

中央真空传递腔室，其中所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室耦合到所述中央真空传递腔室。

6.如权利要求1至5中的任一项所述的基板处理系统，

其中，所述第一基板支撑件还包括第一加热器和第一冷却板，其中供所述传热流体循环的所述一个或多个通道布置在所述第一冷却板中；以及

其中，所述第二基板支撑件还包括第二加热器和第二冷却板，其中供所述传热流体循环的所述一个或多个通道布置在所述第二冷却板中。

7.如权利要求6所述的基板处理系统，还包括：

第一入口导管，所述第一入口导管耦合在所述共享传热流体源的共享入口与所述第一冷却板的第一入口之间；

第一出口导管，所述第一出口导管耦合在所述共享传热流体源的共享出口与所述第一冷却板的第一出口之间；

第二入口导管，所述第二入口导管耦合在所述共享传热流体源的所述共享入口与所述第二冷却板的第二入口之间；以及

第二出口导管，所述第二出口导管耦合在所述共享传热流体源的所述共享出口与所述第二冷却板的第二出口之间。

8.如权利要求7所述的基板处理系统，其中所述第一入口导管和所述第二入口导管以及所述第一出口导管和所述第二出口导管具有基本相等的流动传导性。

9.一种在具有共享处理资源的双腔室处理系统中处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：

利用布置在第一基板支撑件中的第一加热器，将布置第一基板加热到第一温度，其中所述第一基板布置在双腔室处理系统的第一工艺腔室中的第一基板支撑件上，并且通过使得传热流体流过布置在所述第一基板支撑件中的第一冷却板、来维持所述第一基板的所述第一温度；

利用布置在第二基板支撑件中的第二加热器，将第二基板加热到所述第一温度，其中所述第二基板布置在所述双腔室处理系统的第二工艺腔室中的所述第二基板支撑件上，并且通过传热流体流过布置在所述第二基板支撑件中的第二冷却板，以维持所述第二基板的所述第一温度，其中所述传热流体由共享传热流体源供应到所述第一冷却板和所述第二冷却板；以及

当所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室的各个中的各个基板达所述第一温度时，在所述第一基板和所述第二基板上进行第一工艺。