[实用新型]一种SiC单晶生长籽晶粘接压盘

说明书

技术领域

 本实用新型涉及一种SiC单晶生长籽晶粘接压盘，该装置用于在利用升华法进行SiC单晶生长中对籽晶粘接的压接。

背景技术

目前，在用升华法生长SiC单晶的生长实验中，SiC籽晶的粘接方法是单晶生长的关键技术，一般粘接方法是将粘接剂在籽晶托上进行加热，将SiC籽晶置于其上，然后在籽晶上压一个重块，升温至一定温度后自然冷却。由于重块的重量无法进行及时调整，并且存在粘接过程中粘接剂受压分布不均和籽晶受力不均问题，致使生长的SiC晶体质量较差。

发明内容

本实用新型解决了在用升华法生长SiC单晶的实验中籽晶受力不均致使生长的SiC晶体质量较差的问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种SiC单晶生长籽晶粘接压盘，包括上压盘、下压盘，在下压盘的盘中设置有测温圆盘，在测温圆盘中设置有籽晶托圆台，在上压盘的下底面中部设置有气囊，气囊的进气管路通过设置在上压盘中央的密封压力孔与气囊连通，上压盘通过锁紧螺栓与下压盘扣接在一起，在上压盘与下压盘之间设置有密封圈，气囊活动设置在籽晶托圆台的上表面上，在下压盘的底盘中设置有使压盘内形成负压的抽真空通路，在测温圆盘中设置有热电偶。

锁紧沉头螺钉通过压紧圆环将气囊压接在上压盘的下底面上，在下压盘的底盘中设置有测温圆盘的定位台，在测温圆盘中设置有籽晶托圆台的定位台。

本实用新型的有益效果是，保证在升温粘接剂固化过程中，粘接剂均匀地分布在籽晶和籽晶托之间，可以有效的改善SiC单晶的生长质量。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细叙述本实用新型的具体实施方式：

一种SiC单晶生长籽晶粘接压盘，包括上压盘2、下压盘6，在下压盘6的盘中设置有测温圆盘10，在测温圆盘10中设置有籽晶托圆台9，在上压盘2的下底面中部设置有气囊5，气囊5的进气管路7通过设置在上压盘2中央的密封压力孔与气囊5连通，上压盘2通过锁紧螺栓1与下压盘6扣接在一起，在上压盘2与下压盘6之间设置有密封圈4，气囊5活动设置在籽晶托圆台9的上表面上，在下压盘6的底盘中设置有使压盘内形成负压的抽真空通路11，在测温圆盘10中设置有热电偶12。

锁紧沉头螺钉8通过压紧圆环3将气囊5压接在上压盘2的下底面上，在下压盘6的底盘中设置有测温圆盘10的定位台，在测温圆盘10中设置有籽晶托圆台9的定位台。

在上压盘2下表面放置气囊5，压紧圆环3放置在气囊5下表面上，通过锁紧沉头螺钉8将压紧圆环3和气囊5压紧在上压盘2的下底面上，将进气管路7穿过上压盘2的密封压力孔与气囊5连通。在下压盘6上放置测温圆盘10，热电偶12放置在测温圆盘10内，将籽晶托圆台9放置在测温圆盘10上的定位中心，SiC籽晶通过粘接剂放置在籽晶托圆台9表面，密封圈4放置在下压盘6上。通过锁紧螺栓1将上压盘2和下压盘6紧固在一起。通过进气管路7施加一定空气压力在气囊5上，使得气囊5将同等的压力均匀地施加到籽晶托圆台9上，通过抽真空口11使压盘内形成负压，通过热电偶12进行温度控制，开始进行加热，加热至粘接剂固化温度后，开始冷却。冷却至室温后，关闭抽真空口11，卸去气囊5中的空气压力，松开锁紧螺栓1，取出粘接上SiC籽晶的籽晶圆台托9，完成整个SiC籽晶粘接工作。

本实用新型提供一种能够承受从室温到300℃温度的SiC籽晶粘接方法。该技术的优点是通过柔性气囊施加均匀压力与SiC籽晶表面，能够使得粘接剂在SiC籽晶和籽晶托之间均匀分布。