[实用新型]一种SiC单晶生长籽晶粘接压盘有效

专利信息
申请号: 201120210872.2 申请日: 2011-06-21
公开(公告)号: CN202164388U 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 毛开礼;王英民;李斌;徐伟;周立平;田牧;姜志艳 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二研究所
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 山西科贝律师事务所 14106 代理人: 陈奇
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 sic 生长 籽晶 粘接压盘
【权利要求书】:

1.一种SiC单晶生长籽晶粘接压盘,包括上压盘(2)、下压盘(6),在下压盘(6)的盘中设置有测温圆盘(10),在测温圆盘(10)中设置有籽晶托圆台(9),其特征在于,在上压盘(2)的下底面中部设置有气囊(5),气囊(5)的进气管路(7)通过设置在上压盘(2)中央的密封压力孔与气囊(5)连通,上压盘(2)通过锁紧螺栓(1)与下压盘(6)扣接在一起,在上压盘(2)与下压盘(6)之间设置有密封圈(4),气囊(5)活动设置在籽晶托圆台(9)的上表面上,在下压盘(6)的底盘中设置有使压盘内形成负压的抽真空通路(11),在测温圆盘(10)中设置有热电偶(12)。

2.根据权利要求1所述的一种SiC单晶生长籽晶粘接压盘,其特征在于,锁紧沉头螺钉(8)通过压紧圆环(3)将气囊(5)压接在上压盘(2)的下底面上,在下压盘(6)的底盘中设置有测温圆盘(10)的定位台,在测温圆盘(10)中设置有籽晶托圆台(9)的定位台。

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