[发明专利]中心布线双圈排列单IC芯片封装件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子信息自动化元器件制造技术领域，涉及一种IC芯片封装件，具体说是一种中心布线双圈排列单IC芯片封装件，本发明还涉及该封装件的制备方法。

背景技术

长期以来，受蚀刻模板及蚀刻工艺技术的限制，QFN产品一直延续着90年代开发出来的单圈引线框架模式。QFN(Quad Flat No Lead Package) 型双圈排列封装的集成电路封装技术是近几年发展起来的一种新型微小形高密度封装技术，特别是2006年以来，市场需求增加，推动了QFN封装技术的快速发展，材料配套技术、制造工艺技术和封装应用技术都有了突破性的进展。目前，普通四边扁平无引脚封装（QFN）单面封装时引脚数少、焊线长、造成焊线成本高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种在较为成熟的QFN集成电路封装技术和单圈扁平的无引脚封装技术的基础上吸取PCB设计制作特点，把中心布线环和双圈排列巧妙结合的中心布线双圈排列单IC芯片封装件，本发明的另一目的是提供一种上述封装件的制备方法。

为解决本发明的技术问题采用如下技术方案：

一种中心布线双圈排列单IC芯片封装件，包括引线框架载体、框架引线内引脚、IC芯片、键合线及塑封体，所述引线框架载体上粘接IC芯片，所述IC芯片外侧设有中心布线环，所述中心布线环的外部设有两圈内引脚，分别为第一内引脚和第二内引脚，所述第一内引脚和第二内引脚之间正面腐蚀出深度为引线框架厚度的1/2的第一凹坑；所述第一内引脚和第二内引脚下面设置第二凹坑；所述中心布线环上设有内、外两圈焊盘组，所述内圈焊盘组组上设有多个焊盘，内圈焊盘与IC芯片的焊盘打线，所述外圈焊盘组上也设有多个焊盘，分别与第一内引脚和第二内引脚打线。

所述IC芯片与中心布线环的内圈焊盘组的一个焊盘打线连接形成第一键合线，与内圈焊盘组的另一焊盘打线连接形成第二键合线，所述中心布线环的外圈焊盘组的一个焊盘上打线后拉弧在第一内引脚上打一月牙形焊点，形成第三键合线；所述中心布线环的外圈焊盘组的另一焊盘上打线后拉弧在第二内引脚形成第四键合线；所述第一键合线和第二键合线通过中心布线环分别与第三键合线和第四键合线相导通。

所述的中心布线环镶嵌或使用高强度胶粘贴在引线框架载体上。

制备所述中心布线双圈排列单IC芯片封装件的工艺流程为：

步骤1 减薄、划片

常规方法将晶圆减薄至180μm～210μm并划片；

步骤2 上芯

取双圈引线框架载体将步骤1已减薄划片的IC芯片固接于双圈引线框架载体上，采用防离层烘烤技术烘烤3小时，烘烤温度150℃；

步骤3压焊

先将粘有IC芯片的带中心布线环的半成品引线框架传递盒放置在压焊机的上料台，然后将金线或铜线轴固定于压焊台上，启动压焊机的自动上料装置，成品引线框架传递盒自动上升到设定位置，推出一条半成品引线框架到轨道并送入压焊工作台加热（温度180℃～220℃），按设定程序在IC芯片上的焊盘焊接焊线，将焊线拉弧、拱丝至中心布线环第三组焊盘组对应的焊盘上形成第一键合线和第二键合线，中心布线环上的第四组焊盘组上对应的焊盘上焊接焊线，将焊线拉弧、拱丝至框架引线第一内引脚上的月牙形焊点和框架引线第二内引脚上的月牙形焊点分别形成第三键合线和第四键合线，并且根据需要，采用高低弧和M型弧，防止引线间短路；

步骤4塑封、后固化、打印

采用相关封装形式的常规方法对压焊后形成的器件进行塑封、后固化、打印。

步骤5分离引脚

a 磨削法分离，将打印完的半成品框架底部先进行腐蚀，引线框架背面腐蚀掉0.045mm～0.065mm，然后进行磨削、抛光厚度为0.065mm～0.045mm；

b 激光法分离，将打印完的半成品框架底部用激光方法将内外引脚的连筋切断，激光切口的切割深度为0.11mm＋0.01mm；

步骤6电镀

a对磨削法分离引脚间连筋，采用化学镀方法先电镀一层8μm～10μm的铜，然后电镀7μm～15μm的纯锡；

b对激光法分离引脚间连筋，采用化学镀方法直接电镀7μm～15μm的纯锡。

步骤7产品分离、外观检验、包装、入库

采用相关封装形式的常规方法对电镀后形成的器件进行产品分离、外观检验、包装、入库，制成中心布线双圈排列单IC芯片封装件产品。