[发明专利]中心布线双圈排列单IC芯片封装件及其制备方法

权利要求书

1.一种中心布线双圈排列单IC芯片封装件，包括引线框架载体、框架引线内引脚、IC芯片、键合线及塑封体，其特征在于：所述引线框架载体（1）上粘接IC芯片（4），所述IC芯片（4）外侧设有中心布线环（2），所述中心布线环（2）的外部设有两圈内引脚，分别为第一内引脚（17）和第二内引脚（19），所述第一内引脚（17）和第二内引脚（19）之间正面腐蚀出深度为引线框架厚度的1/2的第一凹坑（18）；所述第一内引脚（17）和第二内引脚（19）下面设置第二凹坑（27）；所述中心布线环（2）上设有内、外两圈焊盘组，所述内圈焊盘组（22）上设有多个焊盘，内圈焊盘与IC芯片（4）的焊盘打线，所述外圈焊盘组（23）上也设有多个焊盘，分别与第一内引脚（17）和第二内引脚（19）打线。

2.根据权利要求1所述的中心布线双圈排列单IC芯片封装件，其特征在于：所述IC芯片(4)与中心布线环(2)的内圈焊盘组(22)的一个焊盘组打线连接形成第一键合线（5），与内圈焊盘组(22)的另一焊盘打线连接形成第二键合线（6）；所述中心布线环（2）的外圈焊盘组（23）的一个焊盘上打线后拉弧在第一内引脚（17）上打一月牙形焊点，形成第三键合线（7），所述中心布线环（2）的外圈焊盘组（23）的另一焊盘上打线后拉弧在第二内引脚（19）形成第四键合线（8）；所述第一键合线（5）和第二键合线（6）通过中心布线环（2）分别与第三键合线（7）和第四键合线（8）相导通。

3.根据权利要求1所述的中心布线双圈排列单IC芯片封装件，其特征在于：所述的中心布线环（2）镶嵌或使用高强度胶（26）粘贴在引线框架载体（1）上。

4.根据权利要求1所述的中心布线双圈排列单IC芯片封装件的制备方法，工艺流程为减薄、划片、上芯、压焊、塑封、后固化、打印、分离引脚、电镀、产品分离、外观检验、包装、入库，其中除压焊、电镀工序以外，其它工序均采用相关封装形式的常规方法，其特征在于所述工艺过程为：

步骤1 减薄、划片

常规方法将晶圆减薄至180μm～210μm并划片；

步骤2 上芯

取双圈引线框架载体（1）将步骤1已减薄划片的IC芯片（4）固接于双圈引线框架载体（1）上，采用防离层烘烤技术烘烤3小时，烘烤温度150℃；

步骤3压焊

将粘贴IC芯片（4）的中心布线环的半成品传递盒放置到压焊机上料台，开启压焊机在IC芯片（4）的焊盘上焊线，拱丝、拉弧至中心布线环（2）的内圈焊盘组（22）上分别形成第一键合线（5）和第二键合线（6）；从中心布线环（2）的外圈焊盘组（23）上焊线，拉弧、拱丝至第一内引脚（17）上打一月牙形焊点和第二内引脚（19）上打一月牙形焊点，分别形成第三键合线（7）和第四键合线（8）；

步骤4塑封、后固化、打印

采用相关封装形式的常规方法对压焊后形成的器件进行塑封、后固化、打印；

步骤5分离引脚

a 磨削法分离，将打印完的半成品框架底部先进行腐蚀，引线框架背面腐蚀掉0.045mm～0.065mm，然后进行磨削、抛光厚度为0.065mm～0.045mm；

b 激光法分离，将打印完的半成品框架底部用激光方法将内外引脚的连筋切断，激光切口（21）的切割深度为0.11mm＋0.01mm；

步骤6电镀

a对磨削法分离引脚间连筋，采用化学镀方法先电镀一层8μm～10μm的铜，然后电镀7μm～15μm的纯锡；

b对激光法分离引脚间连筋，采用化学镀方法直接电镀7μm～15μm的纯锡；

步骤7

采用相关封装形式的常规方法对电镀后形成的器件进行产品分离、外观检验、包装、入库，制成中心布线双圈排列单IC芯片封装件产品。