[发明专利]用于半导体制造中的可流动沉积的系统和装置

权利要求书

1.一种晶片支撑装置，其包括：

卡盘；其中：

所述卡盘包含顶表面、底表面和外表面；

所述顶表面与所述底表面实质上平行于彼此，且可偏离彼此；

所述外表面位于所述顶表面与所述底表面之间；且

所述顶表面经配置以支撑半导体晶片；以及

外壳；其中：

所述外壳包含外壁和连接到所述外壁的外壳底板；

所述外壳底板包含从所述外壁朝向所述外壳底板的中心延伸的第一隔热区，其中所述第一隔热区在一直延伸到所述外壳底板的所述中心之前停止；

所述卡盘的所述底表面面向所述外壳底板；

所述卡盘的所述底表面和所述外表面可实质上处于由所述外壁和所述外壳底板界定的容积内；

所述卡盘与所述外壳经配置以作为单一组合件在半导体制造腔室中一起移动；

所述卡盘的所述外表面与所述外壳的所述外壁之间无实质热接触；且

跨越所述第一隔热区在所述底表面与所述外壳底板之间无实质热接触。

2.根据权利要求1所述的晶片支撑件，其中当所述晶片支撑装置暴露于在可流动沉积半导体制造腔室中存在的气体和环境条件时，发生所述卡盘的所述外表面与所述外壳的所述外壁之间的所述无实质热接触以及跨越所述第一隔热区在所述底表面与所述外壳底板之间的所述无实质热接触。

3.根据权利要求2所述的晶片支撑件，其中所述气体包含Ar或He，且所述环境条件包含介于25托与75托之间的压强。

4.根据权利要求1所述的晶片支撑件，其中：

在所述卡盘的实质上全部所述外表面与所述外壳的所述外壁之间存在至少为0.015″的间隙；且

跨越所述第一隔热区在实质上全部所述底表面与所述外壳底板之间存在至少为0.015″的间隙。

5.根据权利要求1所述的晶片支撑件，其中：

所述外表面与所述外壁为实质上圆柱形；

所述外壳底板为实质上环形且具有内部周界；且

所述隔热区不延伸到所述内部周界。

6.根据权利要求5所述的晶片支撑件，所述晶片支撑件进一步包括介电中断区，其中：

所述介电中断区包含外介电壁和与所述外介电壁相接的介电底板；

所述介电底板包含从所述外介电壁朝向所述介电底板的所述中心延伸的第二隔热区；

所述介电底板插入于所述外壳底板与所述底表面之间；

所述外介电壁插入于所述外壁与所述外表面之间；

所述外壁、所述外介电壁与所述外表面之间无实质热接触；

跨越所述第二隔热区在所述底表面与所述介电底板之间无实质热接触；且

跨越所述第一隔热区在所述介电底板与所述外壳底板之间无实质热接触。

7.根据权利要求6所述的晶片支撑件，其中：

所述外表面与所述外介电壁的面向所述外表面的表面隔开介于0.015″与0.050″之间的间隙；

所述底表面与所述介电底板的在所述第二隔热区内且面向所述底表面的表面之间隔开介于0.015″与0.050″之间的间隙；

所述外介电壁与所述外壁的面向彼此的表面隔开介于0.015″与0.050″之间的间隙；且

所述介电底板的表面与所述外壳底板的在所述第一隔热区中的表面隔开介于0.015″与0.050″之间的间隙。

8.根据权利要求1所述的晶片支撑件，其中所述卡盘包含冷却通道，所述冷却通道位于所述顶表面与所述底表面之间且沿循穿过所述卡盘的迂回路径。

9.根据权利要求8所述的晶片支撑件，其中所述迂回路径包括：

具有不同大小的复数个嵌套的C形区段；以及

复数个跨接区段；其中：

每个跨接区段用另一C形区段的相应末端来接合一个C形区段的末端；且

仅一个跨接区段将任何两个C形区段接合在一起。

10.根据权利要求1所述的晶片支撑件，其中所述卡盘包含位于所述顶表面与所述底表面之间的环形吹扫气体通道，且其中孔的圆形图案将所述环形吹扫气体通道与所述顶表面流体连接。

11.根据权利要求10所述的晶片支撑件，其中所述晶片支撑件经配置以支撑呈指定标称直径的晶片，且所述圆形图案的直径比所述标称直径小1mm到2mm。