[发明专利]一种用于液晶显示器的芯片接合结构无效
申请号: | 201110342759.4 | 申请日: | 2011-10-25 |
公开(公告)号: | CN102394231A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 郭豫杰;陈奕儒 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;G02F1/13 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 曾红 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 液晶显示器 芯片 接合 结构 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示器技术,尤其涉及一种用于液晶显示器的芯片接合结构。
背景技术
液晶显示器(liquid crystal display,LCD)是目前已经广泛使用的一种平面显示器,具有低功耗、体积小、重量轻且低电压驱动等特征。一般而言,LCD的显示区域包括多个像素区域,其为垂直配置的扫描线(scanning line)与数据线(data line)所定义的矩形区域,且每个像素区域内设有一薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)以及一像素电极。此外,在扫描线与数据线的终端还会设计一连接垫(bonding pad)结构,利用卷带接合(tape automatic bonding,TAB)技术或软性印刷电路板(flexible printed circuit)技术,连接垫可与外部驱动芯片形成电性连接,进而达到驱动像素电极以提供图像信号的目的。
此外,COG(chip on glass)技术是指将芯片直接与玻璃基板上的连接垫接合的技术,而由于COG技术具有低成本的优势,因而已广泛地应用在显示面板的芯片接合制程上。在现有技术中,COG技术主要包括使用金属焊接与异方向性导电膜(ACF,anisotropic conductive film)两种方式。就前者来说,金属焊接利用低熔点金属将芯片上的导电凸块焊接在显示面板的连接垫上,但是,在导电凸块之间的间距越来越小的状态下,使用金属焊接的COG技术已无法满足需要,而逐渐变换为使用异方向性导电膜的COG技术。然而,当前的COG技术中,使用单层的金属导电层容易产生较大的高度差,往往会造成异方向性导电膜无法有效接触该金属导电层的开口底部,进而使原来的电连接路径出现断路的异常情形。
有鉴于此,如何设计一种用于液晶显示器的芯片接合结构,在减小金属导电层高度差的同时,提高异方向性导电膜与该金属导电层的接触可靠性,是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
发明内容
针对现有技术中的液晶显示器的芯片接合结构在使用时所存在的上述缺陷,本发明提供了一种新型的芯片接合结构。
依据本发明的一个方面,提供了一种用于液晶显示器的芯片接合结构,该芯片接合结构包括:
一连接垫,所述连接垫包括:
一基底;
一栅极绝缘层,形成于所述基底上;
至少一保护层,覆盖于所述栅极绝缘层之上,且所述保护层具有一开口;以及
一第一导电层,设置于所述保护层以及所述开口的侧壁和底部;
一芯片,包括至少一导电凸块;以及
一异方向性导电膜(ACF,Anisotropic Conductive Film),当所述导电凸块下压所述异方向性导电膜时,所述导电凸块与所述第一导电层经由所述异方向性导电膜而电性导通,
其中,所述连接垫还包括一第二导电层和一中间介质层,所述第二导电层设置于所述保护层与所述中间介质层之间,以缩短所述第一导电层的平坦表面与所述开口底部间的高度差。
优选地,第二导电层为一透明导电层。或者,第二导电层为一铟锡氧化层(IZO)或一铟锌氧化层(IZnO)。
优选地,第二导电层还用于桥接所述中间介质层和所述栅极绝缘层上的栅电极线。
优选地,中间介质层的厚度为0.32微米。
优选地,导电凸块为一金凸块(gold bump)。
优选地,至少一保护层包括一第一保护层和一第二保护层,其中,所述第一保护层设置于所述栅极绝缘层的上方,以及所述第二保护层设置于所述第一导电层的下方。更优选地,第一保护层和所述第二保护层之间还设有一半导体层。
采用本发明的用于液晶显示器的芯片接合结构,在连接垫对应于第一导电层的开口底部处设置一中间介质层和一第二导电层,从而可有效缩短第一导电层的平坦表面与其开口底部之间的高度差,进而确保导电凸块下压该异方向性导电膜时该导电凸块与第一导电层经由该异方向性导电膜电性导通。
附图说明
读者在参照附图阅读了本发明的具体实施方式以后,将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中,
图1示出现有技术中的芯片接合结构的架构框图;以及
图2示出依据本发明的一个方面,用于液晶显示器的芯片接合结构的架构框图。
具体实施方式
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