[发明专利]监控用于集成无源器件的半导体衬底测试结构和测试方法有效
| 申请号： | 201110342181.2 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102509725A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 韦敏侠;黎坡;唐莉;孔蔚然;许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01N27/00;G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 监控 用于 集成 无源 器件 半导体 衬底 测试 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种监控用于集成无源器件的半导体衬底测试结构，其特征在于包括：分别连接至电感电容电阻测试仪的两端的所述半导体衬底上的半导体电路的顶层金属层中的相隔特定距离的第一金属线与第二金属线，其中在所述电感电容电阻测试仪的一端加测试信号来获取C-V曲线，并且通过所述C-V曲线判断半导体衬底的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的监控用于集成无源器件的半导体衬底测试结构，其特征在于，所述无源器件用于高频应用。
3.一种监控用于集成无源器件的半导体衬底测试方法，其特征在于包括：将所述半导体衬底上的半导体电路的顶层金属层中的相隔特定距离的第一金属线与第二金属线分别连接至电感电容电阻测试仪的两端，并且在所述电感电容电阻测试仪的一端加测试信号来获取C-V曲线，并且通过所述C-V曲线判断半导体衬底的掺杂浓度。
4.根据权利要求3所述的监控用于集成无源器件的半导体衬底测试方法，其特征在于，所述无源器件用于高频应用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110342181.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：携带式卫生间
- 下一篇：一种复合硅酸铝纤维堵套及其制备方法
