[发明专利]晶圆承载装置及具有它的半导体处理设备有效
申请号: | 201110338680.4 | 申请日: | 2011-10-31 |
公开(公告)号: | CN103094166A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 管长乐 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 具有 半导体 处理 设备 | ||
1.一种晶圆承载装置,其特征在于,包括:
卡盘,所述卡盘包括:
卡盘本体,所述卡盘本体内具有中空腔,且所述卡盘本体的顶壁设有第一通孔;和
移动部,所述移动部容纳在所述中空腔内,所述移动部的上表面设有与所述第一通孔对应的凸出部;
托盘,所述托盘设在所述卡盘本体上,所述托盘设有与所述第一通孔对应且用于容纳晶圆的第二通孔,其中所述第二通孔的上端的直径大于所述晶圆的直径且所述第二通孔的下端的直径小于所述晶圆的直径;及
升降组件,所述升降组件与所述移动部相连用于驱动所述移动部在所述中空腔内升降以使所述凸出部与所述晶圆接触或脱离。
2.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第二通孔为台阶状,所述第二通孔包括第一孔段和位于所述第一孔段下面的第二孔段,其中所述第一孔段的直径大于所述晶圆的直径且所述第二孔段的直径小于所述晶圆的直径。
3.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,还包括用于对所述晶圆产生静电吸附力的电极,所述电极的一端设在所述移动部内且所述电极的另一端延伸出所述移动部。
4.如权利要求3所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述电极包括电极本体、电极分支和引出段,所述电极分支的一端与所述电极本体相连且所述电极分支的另一端延伸到所述凸出部内,所述引出段的一端与所述电极本体相连且所述引出段的另一端向下延伸出所述移动部。
5.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述移动部内设有用于供给温控气体的第一气体通道和第一通气孔,所述第一通气孔的一端与所述第一气体通道连通且所述第一通气孔的另一端从所述凸出部的上表面露出。
6.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述卡盘本体设有用于供给温控气体的第二气体通道和第二通气孔,所述第二通气孔的一端与所述第二通道连通且所述第二通气孔的另一端从所述卡盘本体与所述托盘接触的表面露出。
7.如权利要求4或6所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述温控气体为He气。
8.如权利要求1-6中任一项所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一通孔、第二通孔和所述凸出部均为多个且所述第一通孔、第二通孔和所述凸出部一一对应。
9.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述升降组件为气缸、液压缸、电缸和丝杠传动装置中的一种。
10.一种半导体处理设备,其特征在于,包括:
晶圆承载装置,所述晶圆承载装置为如权利要求1-9任一项所述的晶圆承载装置。
11.根据权利要求10所述的半导体处理设备,其特征在于,所述半导体处理设备为LED或MEMS刻蚀机。
12.根据权利要求11所述的半导体处理设备,其特征在于,所述LED或MEMS刻蚀机为电感耦合等离子体刻蚀机。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110338680.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种化工储运用废气治理装置
- 下一篇:举升机全方位防压脚护栏
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造