[发明专利]MOSFET及其制造方法

权利要求书

1.一种MOSFET，包括：

SOI晶片，所述SOI晶片包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；

栅叠层，所述栅叠层位于半导体层上；

源区和漏区，所述源区和漏区嵌于所述半导体层中且位于所述栅叠层两侧；

沟道区，嵌于所述半导体层中且夹在所述源区和漏区之间；

其中，所述MOSFET还包括背栅，所述背栅嵌于所述半导体衬底中并且包括形成背栅的下部区域的第一掺杂区和形成背栅的上部区域的第二掺杂区，所述背栅的第二掺杂区与栅叠层自对准。

2.根据权利要求1所述的MOSFET，其中所述背栅的掺杂类型与MOSFET的类型相同或相反。

3.根据权利要求1所述的MOSFET，其中所述背栅中的掺杂浓度为1x10¹⁷/cm³至1x10²⁰/cm³。

4.根据权利要求1所述的MOSFET，其中所述背栅的第二掺杂区邻接于所述绝缘埋层。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的MOSFET，还包括补偿注入区，所述补偿注入区位于所述沟道区下方且嵌于所述背栅的第二掺杂区中。

6.根据权利要求5所述的MOSFET，其中所述补偿注入区的掺杂类型与MOSFET的类型相同或相反。

7.根据权利要求5所述的MOSFET，其中所述补偿注入区的掺杂浓度比背栅的掺杂浓度低。

8.根据权利要求7所述的MOSFET，其中所述补偿注入区中的掺杂浓度为1x10¹⁵/cm³至1x10¹⁸/cm³。

9.一种制造MOSFET的方法，包括：

提供SOI晶片，所述SOI晶片包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；

执行第一次背栅离子注入，在所述半导体衬底中形成背栅的第一掺杂区；

在所述半导体层上形成假栅；

执行源/漏离子注入，在所述半导体层中形成源区和漏区；

去除所述假栅以形成栅极开口；

经由栅极开口执行第二次背栅离子注入，在所述半导体衬底中形成背栅的第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂分别形成背栅的下部区域和上部区域；

在所述栅极开口中形成栅叠层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一次背栅离子注入的注入剂量为1x10¹³/cm²至1x10¹⁵/cm²。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二次背栅离子注入的注入剂量为1x10¹³/cm²至1x10¹⁵/cm²。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述第一次背栅离子注入和所述第二次背栅离子注入中采用的掺杂剂的掺杂类型相同。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述第一次背栅离子注入和所述第二次背栅离子注入中采用的掺杂剂的掺杂类型与MOSFET的类型相同或相反。

14.根据权利要求9所述的方法，其中在执行第二次背栅离子注入的步骤和形成栅叠层的步骤之间，还包括经所述栅极开口，执行补偿离子注入，以形成补偿注入区，所述补偿注入区嵌于所述背栅的第二掺杂区中。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过在所述栅极开口的内壁上形成侧墙以减小所述栅极开口的宽度，经宽度减小的所述栅极开口执行所述补偿离子注入。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述补偿离子注入的注入剂量为1x10¹³/cm²至1x10¹⁵/cm²。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述第一次背栅离子注入和所述第二次背栅离子注入中采用的掺杂剂的掺杂类型相同，并且在补偿离子注入中采用的掺杂剂的掺杂类型与在所述第一次背栅离子注入和所述第二次背栅离子注入中采用的掺杂剂的掺杂类型相反。